2SK2638 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET晶体管,常用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用中。这款MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))特性,能够提供较高的电流承载能力,同时保持较低的开关损耗,适合高效能电源管理系统使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):15A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):20V
导通电阻(Rds(on)):约0.045Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220、SMD等
2SK2638 的主要特性之一是其低导通电阻,这使得在导通状态下漏源之间的电压降非常小,从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在较高的温度环境下稳定工作。
该MOSFET采用先进的工艺制造,具有较高的可靠性与稳定性,适用于多种高频开关应用。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体电源转换效率。此外,2SK2638 还具备较强的过载与短路保护能力,使其在复杂的电气环境中仍能保持稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至20V之间工作,使其兼容多种驱动电路设计,适用于PWM控制等应用场景。
2SK2638 主要用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器;
2. DC-DC升压或降压转换器;
3. 电池管理系统中的充放电控制;
4. 电机驱动电路和H桥电路;
5. LED照明驱动电路;
6. 电源管理模块和负载开关控制;
7. 各类高频逆变器和功率放大器电路。
SiHH15N30C, IRF3703, FDP15N30, 2SK2640, 2SK2647