型号：2SK2637
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：1.5 A
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 4.5 Ω（在Vgs = 10 V时）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 10 nC
　　输入电容（Ciss）：典型值 350 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 100 pF
　　反向恢复时间（trr）：无（为MOSFET，不适用）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：SOT-223

2SK2637具备多项优异的电气与物理特性，使其成为中小功率电源转换系统中的理想选择。首先，该器件拥有高达500V的最大漏源电压，意味着它可以在高压环境下安全运行，适用于离线式开关电源设计，例如AC-DC适配器、LED驱动电源等场景。其次，尽管其导通电阻相对较高（典型值为4.5Ω），但在同等级别的小封装MOSFET中仍属于合理范围，且通过优化驱动电压可进一步降低实际导通损耗。
　　该MOSFET采用了东芝成熟的平面栅工艺，确保了产品的一致性和长期可靠性。其栅极氧化层经过严格质量控制，能够承受多次热循环而不发生退化，从而提升了器件在恶劣环境下的耐用性。此外，2SK2637的热阻较低，配合SOT-223封装自带的散热片，可以实现有效的热量传导，避免因局部过热导致的性能下降或损坏。
　　在动态特性方面，2SK2637表现出适中的开关速度。其输入电容和输出电容较小，有助于减少高频开关过程中的能量损耗，尤其适合工作频率在几十kHz到上百kHz之间的电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）变换器等。虽然其栅极电荷并非极低水平，但足以满足大多数通用开关应用的需求，并可通过适当的栅极驱动电路进行优化控制。
　　另一个显著特点是其良好的抗雪崩能力。在某些异常工况下，例如负载突变或短路瞬态，MOSFET可能承受超过额定电压的应力，而2SK2637在设计上具备一定的非重复雪崩能量耐受能力，能够在一定程度上防止器件因电压尖峰而永久失效，增强了系统的鲁棒性。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子产品对环保与绿色制造的要求。

2SK2637广泛应用于多种中低功率电子系统中，尤其是在需要高电压操作和稳定开关性能的场合。其主要应用领域包括但不限于：开关模式电源（SMPS），如手机充电器、笔记本电脑适配器、电视机和显示器的内置电源模块；DC-DC转换器，在分布式电源架构中作为升压、降压或隔离型拓扑的主开关元件；LED照明驱动电路，特别是在恒流控制的离线式LED灯泡和筒灯中发挥关键作用。
　　此外，该器件也常用于小型电机驱动系统，例如风扇电机、打印机步进电机或家用电器中的微型马达控制，利用其快速响应和低静态功耗优势实现高效调速。在工业自动化设备中，2SK2637可用于继电器驱动、电磁阀控制或传感器供电模块，提供可靠的功率切换功能。
　　由于其SOT-223封装体积小且易于安装，2SK2637特别适合空间受限的便携式设备或高密度PCB布局设计。同时，凭借其宽泛的工作温度范围和较强的环境适应能力，该器件也能胜任户外设备、安防监控摄像头或网络通信设备中的电源管理任务。在待机模式下，其低漏电流特性有助于降低整机功耗，满足日益严格的能源效率法规要求，如Energy Star或EuP指令。总之，2SK2637凭借其综合性能优势，在消费类、工业类及通信类电子产品中均有广泛应用。

2SK2640
　　2SK2642
　　K2637
　　2SK3561