时间：2025/12/28 16:59:09
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2SK2569ZN 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用小型表面贴装封装（SOP），适用于需要高效能和小型化设计的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续：2A
导通电阻(Rds(on))：最大4.5Ω @Vgs=10V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOP-8
2SK2569ZN 具备低导通电阻特性，这使得其在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了系统的整体效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许在多种应用中灵活使用，尤其是在电压较低的便携式设备中表现优异。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定的性能。
该器件还具备良好的抗静电能力（ESD保护），有助于提高产品的可靠性并减少因静电放电导致的故障率。封装设计上采用了SOP-8的小型封装形式，便于在高密度PCB布局中使用，同时也便于自动化装配过程。
2SK2569ZN 主要应用于电源管理系统，如DC-DC转换器、电池充电器、负载开关以及各种便携式电子设备中的功率控制电路。此外，它也常用于电机控制、LED驱动电路、工业自动化设备以及消费类电子产品中的开关电源设计中。由于其具备良好的导通特性和较高的稳定性，这款MOSFET也适用于对效率和可靠性有较高要求的应用场景。
2SK2569ZS、2SK2568ZN、2SK2567ZN
