2SK2564 时间：2025/7/22 20:27:19 阅读：8

2SK2564是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产。该器件主要用于高频开关应用，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点。它广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及各种需要高效能MOSFET的场合。2SK2564采用SOP（小外形封装）或类似的表面贴装封装形式，适用于自动化贴片生产流程。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.022Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

2SK2564具备低导通电阻（Rds(on)）的特性，这使得在高电流工作时的导通损耗显著降低，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源极间可承受高达60V的电压，适用于中高压应用场合。其栅源极电压范围为±20V，具有良好的栅极保护能力，防止静电击穿。器件的连续漏极电流可达10A，满足较高功率负载的需求。2SK2564的工作温度范围宽广，可在-55°C至+150°C之间稳定运行，适用于严苛环境条件下的电子设备。此外，其SOP-8封装设计不仅节省空间，还便于散热，有助于提高器件在高功率密度应用中的可靠性。
　　该MOSFET的开关速度快，适合用于高频开关电路，如同步整流、DC-DC转换器和负载开关控制等。同时，其热稳定性良好，能够在持续高负载运行时保持较低的温升，延长器件使用寿命。2SK2564还具有较强的抗干扰能力，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子等多样化应用场景。

应用

2SK2564常用于各种电力电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、马达驱动电路、电池管理系统、电源分配开关、LED驱动电路以及各类高效开关电源。由于其具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。此外，在工业自动化设备、汽车电子控制系统和便携式电子产品中，2SK2564也广泛用于实现高效的功率控制功能。