2SK2517 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于高频功率放大、开关电源和DC-DC转换器等应用中。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于要求高效能和高可靠性的电子系统。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(VDS):60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):15A
脉冲漏极电流(IDM):60A
导通电阻(RDS(on)):最大45mΩ(典型值35mΩ)
功耗(PD):80W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
2SK2517 MOSFET具有多项优良的电气和机械特性,确保其在各种应用中的稳定性和可靠性。
首先,该器件的低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在高电流应用中,这一特性尤为重要,因为它可以减少发热并提高能源利用率。
其次,2SK2517具备较高的电流承载能力,连续漏极电流可达15A,短时间脉冲电流甚至可达60A,这使其适用于高功率密度设计。
此外,该MOSFET具有快速开关特性,能够实现高频操作,适用于开关电源、DC-DC转换器以及高频功率放大器等需要快速响应的应用。
2SK2517采用了TO-220封装形式,这种封装具有良好的散热性能,有助于提高器件在高功率工作时的热稳定性。同时,该封装也便于安装在散热片上,进一步优化散热效果。
该器件的工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,适合在各种恶劣环境条件下使用,如工业控制、车载电子系统、通信设备等。此外,其栅极驱动电压范围为±20V,允许使用标准的栅极驱动电路,提高了设计的灵活性。
最后,2SK2517具有较高的可靠性和较长的使用寿命,适用于需要长期稳定运行的系统。其结构设计和材料选择均符合严格的工业标准,确保在高负荷工作状态下仍能保持稳定性能。
2SK2517广泛应用于多个高功率和高频电子系统中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS):由于其低导通电阻和高开关速度,2SK2517非常适合用于DC-AC转换器、反激式电源和正激式电源等开关电源设计中,能够有效提高电源效率并减小系统尺寸。
2. DC-DC转换器:在升降压(Buck-Boost)、升压(Boost)和降压(Buck)电路中,2SK2517可以作为主开关元件,实现高效的电压转换,广泛用于便携式设备、汽车电子和工业控制系统。
3. 高频功率放大器:2SK2517可用于射频(RF)功率放大器和音频功率放大器,其高电流能力和快速响应特性使其在高保真音频设备和无线通信系统中表现出色。
4. 电机驱动和控制电路:在电机控制、电动工具和机器人系统中,2SK2517可用作功率开关,实现对电机速度和方向的精确控制。
5. 电池管理系统(BMS):在电池充放电管理和保护电路中,2SK2517可作为主开关元件,实现高效的能量传输和安全控制。
6. 工业自动化和控制系统:由于其宽工作温度范围和高可靠性,2SK2517适用于各种工业控制设备,如PLC、伺服驱动器和传感器模块等。
2SK2648, 2SK3057, IRFZ44N, FDPF4N60