2SK2504 TL 时间：2025/11/8 5:42:01 阅读：11

2SK2504 TL是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，专为高性能电源管理与开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具备低导通电阻、高效率和优良的热稳定性等特点，适用于多种工业级和消费类电子产品中的直流-直流转换器、电机驱动电路以及开关电源等场合。其封装形式通常为小型化的表面贴装型（S-Mini），有助于节省PCB空间并提升组装密度。
　　这款MOSFET的工作电压额定值较高，能够承受较大的漏极电流，并在高频工作条件下保持较低的能量损耗，从而提高整体系统能效。此外，2SK2504 TL具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，在实际应用中表现出较高的可靠性和耐用性。由于其出色的电气特性和紧凑的封装设计，该芯片广泛应用于笔记本电脑电源管理模块、便携式电子设备、电池供电系统以及其他需要高效能功率开关的场景中。

参数

型号：2SK2504 TL
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大连续漏极电流（Id）：16 A
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：64 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：4.7 mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)：6.0 mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：2100 pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：810 pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：25 ns
　　功耗Pd：2.5 W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini (SOT-23类似但引脚更宽)
　　极性：N-Channel Enhancement Mode

特性

2SK2504 TL采用了先进的沟槽结构工艺，这种设计显著降低了导通电阻Rds(on)，使其在低电压大电流应用场景下表现出优异的导电性能。其典型Rds(on)仅为4.7mΩ（在Vgs=10V时），这意味着在高负载条件下产生的功率损耗极小，从而提升了系统的整体效率并减少了散热需求。该低Rds(on)特性特别适合用于电池供电设备中，如移动电源、手持仪器和便携式医疗设备，能够在延长续航时间的同时维持稳定的输出电压。
　　该器件具备快速开关能力，得益于其较低的输入和输出电容（Ciss=2100pF，Coss=810pF），使得其在高频开关操作中响应迅速，减少开关延迟和过渡损耗。这一特性使其成为DC-DC转换器、同步整流器和PWM控制电路的理想选择。同时，其较短的反向恢复时间（trr=25ns）有效抑制了体二极管的反向恢复电荷，降低了电磁干扰（EMI）风险，并提高了在桥式拓扑结构中的运行安全性。
　　2SK2504 TL还具备良好的热稳定性和过载承受能力。它可在结温高达+150°C的环境下持续工作，且具备一定的抗雪崩能量能力，增强了在瞬态过压或负载突变情况下的鲁棒性。此外，其栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容标准逻辑电平信号（如3.3V或5V驱动），便于与微控制器或专用驱动IC直接接口，简化了外围电路设计。
　　该MOSFET采用S-Mini小型化封装，不仅体积小巧，利于高密度PCB布局，而且具备较好的散热性能，通过优化焊盘设计可实现有效的热传导。综合来看，2SK2504 TL是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的功率MOSFET，适用于对空间和能效均有严格要求的应用领域。

应用

2SK2504 TL主要应用于各类需要高效开关控制的小型化电源系统中。常见用途包括便携式电子设备的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充放电控制电路；也可作为同步整流MOSFET用于DC-DC降压或升压转换器中，以替代传统肖特基二极管，从而显著提升转换效率并降低温升。
　　在工业控制领域，该器件可用于驱动小型直流电机、继电器或电磁阀的开关控制模块，尤其适用于空间受限但需承载较大电流的场合。此外，在LED照明驱动电路中，2SK2504 TL可以作为主开关元件参与恒流调节回路，确保光源亮度稳定。
　　由于其具备良好的高频响应能力和低导通损耗，该MOSFET也常被用于开关模式电源（SMPS）、适配器、USB PD充电模块以及无线充电发射端的功率级设计中。其表面贴装封装形式支持自动化贴片生产，适用于大规模批量制造流程，进一步提升了其在消费电子市场的竞争力。