型号：2SK2471-01
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：5.7A
　　脉冲漏极电流IDM：23A
　　导通电阻RDS(on)：27mΩ（VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：35mΩ（VGS=4.5V）
　　阈值电压Vth：1.0V～2.5V
　　输入电容Ciss：600pF（VDS=15V）
　　输出电容Coss：190pF（VDS=15V）
　　反向传输电容Crss：40pF（VDS=15V）
　　栅极电荷Qg：11nC（VGS=10V）
　　功耗PD：1W（TA=25℃）
　　工作结温范围：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃
　　封装类型：SOT-23

2SK2471-01具备出色的导通性能与快速开关能力，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为27mΩ，而在更低的驱动电压4.5V下也能保持35mΩ的低阻值，这使得它在电池供电或低压驱动环境中依然表现出色。这种低RDS(on)特性显著降低了导通损耗，提高了电源系统的转换效率，尤其适用于高频率工作的DC-DC变换器拓扑结构，如同步整流BUCK电路。
　　该器件采用东芝专有的先进平面硅栅工艺，确保了器件的一致性和稳定性。其较小的栅极电荷（Qg=11nC）和低输入/输出电容（Ciss=600pF，Coss=190pF）有效减少了开关过程中的充放电能量损耗，从而提升了高频应用下的整体效率，并降低了EMI干扰风险。同时，较低的反向传输电容（Crss=40pF）增强了器件的抗噪声能力，防止因寄生反馈引起的误触发现象。
　　2SK2471-01的工作结温可达+150℃，具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。结合SOT-23小型封装，虽然散热能力有限，但在合理布局和适当敷铜条件下仍可满足多数中等功率应用需求。此外，该MOSFET具有较宽的栅源电压范围（±20V），增强了对驱动电路的兼容性，避免因过压导致栅极击穿的风险。
　　值得一提的是，该器件在关断状态下具有非常低的漏电流，保证了待机模式下的低静态功耗，这对延长移动设备电池寿命至关重要。其阈值电压范围为1.0V至2.5V，适合逻辑电平直接驱动，可与3.3V或5V控制信号良好匹配，简化了驱动电路设计。综合来看，2SK2471-01是一款兼顾高性能、小尺寸与高可靠性的N沟道MOSFET，适用于对空间和效率都有较高要求的现代电子系统。

2SK2471-01主要应用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、超极本和可穿戴设备中的DC-DC降压转换器和同步整流电路。由于其低导通电阻和快速开关特性，常被用作同步整流器以替代传统肖特基二极管，从而大幅提高转换效率并降低发热。
　　此外，该器件也广泛用于电池管理系统（BMS）、LED驱动电源、USB充电端口的负载开关控制、电机驱动电路以及各类小型电源适配器中。在需要高集成度和高效能的小型化电源解决方案中，2SK2471-01凭借其SOT-23封装和优良的电气性能成为理想选择。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于传感器供电开关、继电器驱动、信号切换等低功率开关应用。同时，因其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，也可用于汽车电子中的非动力域低压电源管理部分，如车载信息娱乐系统或车身控制模块的辅助电源电路。
　　在消费类电子产品中，2SK2471-01还常见于LCD背光驱动、相机闪光灯控制电路以及音频放大器的电源开关部分。其快速响应能力和低静态功耗使其非常适合间歇性工作的负载开关场景。总体而言，该器件适用于所有要求高效率、小体积和高可靠性的低压大电流开关应用场合。

Si2301DS
　　AO3400
　　FDS6670A
　　FDG330N