型号：2SK2470
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：500V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID：7A
　　脉冲漏极电流IDM：28A
　　功耗PD：50W
　　导通电阻RDS(on)：0.65Ω（最大值，典型条件下）
　　阈值电压VGS(th)：4V～6V（在ID=1mA时）
　　输入电容Ciss：1200pF（典型值，VDS=250V）
　　输出电容Coss：190pF（典型值）
　　反向传输电容Crss：50pF（典型值）
　　工作结温范围Tj：-55℃～+150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃～+150℃
　　封装类型：TO-220

2SK2470具备多项关键特性，使其成为高性能电源转换应用的理想选择。首先，其高达500V的漏源击穿电压确保了在高压环境下工作的稳定性，适用于宽范围的输入电压系统，如通用输入AC-DC适配器或离线式开关电源。其次，该器件的导通电阻RDS(on)最大为0.65Ω，在同类产品中表现出较低的导通损耗，有助于提高电源效率并减少发热。这种低RDS(on)特性尤其在持续大电流工作条件下显得尤为重要，能够显著降低功率损耗，延长系统寿命。
　　另一个突出特点是其优良的开关性能。2SK2470具有适中的输入和输出电容参数，使得其在高频开关应用中既能实现快速响应，又不会因过大的驱动电流而增加控制电路负担。其Ciss为1200pF，Crss仅为50pF，这意味着较小的米勒电容效应，有利于抑制不必要的寄生导通现象，提升系统的稳定性与可靠性。此外，该MOSFET经过优化设计，具备较快的上升时间和下降时间，适合用于PWM调制等高频控制场景。
　　在安全性和保护方面，2SK2470表现出较强的鲁棒性。它具有较高的雪崩能量承受能力，意味着在遭遇瞬态过压或电感反冲时仍能保持结构完整性，避免永久性损坏。同时，其体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了在同步整流或感性负载切换过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。该器件还具备良好的热阻特性，TO-220封装提供了有效的散热路径，可在高温环境中长期运行而不影响性能。
　　最后，2SK2470采用了成熟的平面栅工艺，确保了批次间的一致性和长期供货的稳定性。这对于批量生产的产品而言至关重要，可以降低质量波动风险，简化供应链管理。综合来看，这些特性共同构成了2SK2470在中等功率开关应用中的核心竞争力。

2SK2470主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合表现优异。常见应用包括AC-DC电源适配器、离线式反激变换器（Flyback Converter）、正激变换器（Forward Converter）以及DC-DC升压或降压转换电路。由于其500V的耐压能力，该器件非常适合用于通用输入电压范围（85VAC～265VAC）的电源设计，广泛服务于笔记本电脑充电器、LED驱动电源、家用电器电源模块等领域。
　　在工业控制系统中，2SK2470可用于电机驱动电路中的低端开关、继电器驱动或电磁阀控制，利用其快速开关能力和高耐压特性实现精确控制与能量管理。此外，在照明电子镇流器或智能照明系统中，该MOSFET可作为主开关元件参与功率调节，配合PWM信号实现调光功能。
　　该器件也适用于UPS（不间断电源）、逆变器和太阳能充电控制器等新能源相关设备中，承担能量转换与传输的关键任务。在这些应用中，2SK2470的低导通损耗和良好热性能有助于提升整体系统效率，并减少散热设计复杂度。此外，其稳定的电气特性和抗干扰能力使其能在电磁环境复杂的工业现场中可靠运行。
　　由于采用TO-220封装，2SK2470便于安装于散热片上，适用于需要自然冷却或强制风冷的设备。因此，它也被广泛用于嵌入式电源模块、网络通信设备电源单元以及医疗电子设备的辅助电源部分。总的来说，2SK2470凭借其均衡的性能指标和成熟的技术平台，已成为许多中功率电力电子系统中的首选MOSFET器件。

2SK2468
　　2SK2469
　　K2544
　　IRFBC30
　　STP5NK50Z