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2SK2470-01MR 发布时间 时间:2025/8/9 12:16:49 查看 阅读:5

2SK2470-01MR是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率开关应用,如电源转换器、DC-DC转换器以及电机控制电路。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特性,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。其封装形式为SOP(Small Outline Package),便于在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):1.0A
  漏极-源极击穿电压(VDS):60V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大2.8Ω(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SOP-8

特性

2SK2470-01MR具备多项优良特性,使其在电源管理和开关应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。这对于需要长时间运行的设备,如便携式电子产品和工业控制系统,是非常重要的。此外,该MOSFET的高耐压能力(VDS为60V)使其能够在较高的电压环境下稳定工作,适应多种电源应用需求。
  其次,该器件的栅极-源极电压范围为±20V,提供了较大的控制灵活性,同时也增强了对栅极驱动电路的适应性。这使得2SK2470-01MR可以在不同的驱动条件下保持稳定的性能,避免因过高的栅极电压而导致的损坏。
  该MOSFET的SOP-8封装形式不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,有助于在高电流条件下保持较低的工作温度,从而提高可靠性。此外,其工作温度范围宽(-55°C至+150°C)使其适用于各种恶劣环境,包括高温和低温应用场景。
  最后,2SK2470-01MR的快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器。这种特性可以减少开关过程中的能量损耗,进一步提升系统的效率,并降低发热问题。

应用

2SK2470-01MR广泛应用于各种电源管理电路,包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、负载开关以及电池管理系统。由于其低导通电阻和高效率,该MOSFET常用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的电源调节模块。此外,在电机控制和自动化系统中,它也被用于驱动小型直流电机和继电器。
  在工业自动化和控制系统中,2SK2470-01MR可用于PLC(可编程逻辑控制器)中的信号开关和电源管理模块。其高可靠性和宽工作温度范围使其适合在工业环境中使用。另外,该MOSFET也可用于LED驱动电路,尤其是在需要调光和恒流控制的应用中,能够提供稳定的电流输出和高效的能量转换。

替代型号

2SK3440, 2SK2628, 2SK2013

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