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2SK2384-TR 发布时间 时间:2025/4/29 10:54:04 查看 阅读:1

2SK2384-TR是一种N沟道MOSFET功率晶体管,属于双极型场效应晶体管。它广泛应用于高频放大器、射频开关以及功率转换等电路中。该型号以其高增益和低噪声特性著称,适合于要求高效率和稳定性的应用场景。
  这种晶体管通常用于音频功率放大器、射频功率放大器以及其他需要高性能输出的场合。

参数

最大耗散功率:12W
  集电极-发射极电压:70V
  栅极-源极电压:±25V
  连续漏极电流:2.5A
  增益(hFE):300至900
  频率范围:DC至1GHz
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-3P

特性

2SK2384-TR具有以下显著特性:
  1. 高增益性能,在宽广的工作频率范围内提供稳定的信号放大能力。
  2. 低噪声系数,使其非常适合于通信设备中的射频应用。
  3. 较高的击穿电压和较低的导通电阻,从而提高了整体效率。
  4. 耐高温设计,能够在极端条件下保持可靠性。
  5. 宽泛的动态范围,允许在不同负载下进行灵活操作。

应用

2SK2384-TR主要用于以下领域:
  1. 射频功率放大器,如业余无线电设备和无线通信系统。
  2. 音频功率放大器,适用于高品质音响设备。
  3. 开关电源和DC-DC转换器中的功率级元件。
  4. 电子战设备和雷达系统的高频模块。
  5. 各种工业控制和医疗设备中的功率驱动电路。

替代型号

2SK2161, 2SK2620

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