2SK2384-TR是一种N沟道MOSFET功率晶体管,属于双极型场效应晶体管。它广泛应用于高频放大器、射频开关以及功率转换等电路中。该型号以其高增益和低噪声特性著称,适合于要求高效率和稳定性的应用场景。
这种晶体管通常用于音频功率放大器、射频功率放大器以及其他需要高性能输出的场合。
最大耗散功率:12W
集电极-发射极电压:70V
栅极-源极电压:±25V
连续漏极电流:2.5A
增益(hFE):300至900
频率范围:DC至1GHz
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-3P
2SK2384-TR具有以下显著特性:
1. 高增益性能,在宽广的工作频率范围内提供稳定的信号放大能力。
2. 低噪声系数,使其非常适合于通信设备中的射频应用。
3. 较高的击穿电压和较低的导通电阻,从而提高了整体效率。
4. 耐高温设计,能够在极端条件下保持可靠性。
5. 宽泛的动态范围,允许在不同负载下进行灵活操作。
2SK2384-TR主要用于以下领域:
1. 射频功率放大器,如业余无线电设备和无线通信系统。
2. 音频功率放大器,适用于高品质音响设备。
3. 开关电源和DC-DC转换器中的功率级元件。
4. 电子战设备和雷达系统的高频模块。
5. 各种工业控制和医疗设备中的功率驱动电路。
2SK2161, 2SK2620