时间：2025/9/7 15:39:56
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2SK2329L 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流、高功率的开关应用。该器件采用先进的平面条纹结构，以实现高效率和低导通电阻。2SK2329L具有良好的热稳定性和高耐用性，适用于各种工业和消费类电子设备中的功率管理电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：150A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220AB
2SK2329L 具备出色的导通性能和低导通电阻，使其在高电流应用中具有优异的效率表现。其先进的制造工艺和结构设计确保了良好的热稳定性和耐久性。
该MOSFET采用TO-220AB封装，便于安装和散热，适用于高功率密度设计。此外，2SK2329L具备较高的栅极耐压能力（±20V），使其在复杂的开关环境中具有良好的可靠性。
由于其高电流能力和低Rds(on)，该器件在DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和电源管理应用中表现优异。同时，其封装形式也便于焊接和安装，适合大规模生产和使用。
2SK2329L 主要应用于高功率开关电路、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、工业自动化设备、电动工具和汽车电子系统等。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效率电源设计的理想选择。
Si7461DP, IRF1404, AO4404
