时间：2025/9/7 15:05:04
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2SK2315TYTR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率开关和高频率应用。这款MOSFET采用小型表面贴装封装（SOT-23），适合在空间受限的电路设计中使用。它具备较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于电源管理、DC-DC转换器以及电池供电设备等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：100mA
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2SK2315TYTR MOSFET具备多项优异特性，使其在各种电子设备中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具有快速的开关特性，适合高频应用，从而减少了开关损耗并提高了响应速度。此外，其SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和焊接。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可达±20V，确保了在不同控制电路下的稳定工作。其工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，能够在极端环境条件下保持可靠性能。2SK2315TYTR还具备良好的热稳定性，可有效防止因过热引起的性能下降或损坏。
2SK2315TYTR MOSFET主要应用于需要低功耗、小尺寸封装和高频操作的电路中。例如，在电源管理电路中，它可用于负载开关或DC-DC转换器的控制端，实现高效的能量传输。此外，它也适用于电池供电设备中的电源控制，如便携式电子设备、无线通信模块和传感器电路。在数字逻辑电路和驱动电路中，该MOSFET也可作为开关元件使用，提供稳定的信号传输与控制功能。由于其良好的高频特性，2SK2315TYTR也常用于射频（RF）电路和低噪声放大器中的开关控制。
2SK2313, 2SK2312, 2N3904
