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2SK2292-01S 发布时间 时间:2025/8/9 10:44:17 查看 阅读:38

2SK2292-01S 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高频率开关应用,如DC-DC转换器、电源管理模块以及小型电机驱动电路。该器件采用小型SOT-23封装,适合便携式电子设备和空间受限的设计。其具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):100mA(Vds=10V时)
  导通电阻(Rds(on)):约3Ω(Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:SOT-23

特性

2SK2292-01S MOSFET具有多个显著的电气和物理特性。首先,它具有较低的导通电阻(Rds(on)),这使得在导通状态下功耗更小,效率更高,非常适合电池供电设备。其次,该器件具备快速开关能力,能够支持高频操作,从而减小外部电感和电容的尺寸,提高整体系统的功率密度。此外,其采用的SOT-23封装不仅体积小巧,而且具备良好的热性能,在有限空间内仍能有效散热。该MOSFET还具有良好的热稳定性,可在高温环境下保持稳定工作。此外,其栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V驱动电压,兼容多种控制器和驱动IC。最后,2SK2292-01S具有高耐用性和长寿命,能够在复杂电磁环境中稳定运行。
  从制造工艺来看,2SK2292-01S采用了先进的硅基工艺,确保了器件在高温和高电压条件下的稳定性与可靠性。其栅极氧化层具有优异的绝缘性能,防止栅极漏电流过大,从而提高器件寿命。此外,器件的内部结构优化减少了寄生电容,提高了开关速度,降低了开关损耗。对于需要高效能、低功耗、小尺寸的电源系统来说,2SK2292-01S是一款非常合适的选择。

应用

2SK2292-01S MOSFET主要应用于小型电源管理系统,如便携式设备中的DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路等。此外,它也广泛用于LED驱动电路、小型电机控制、传感器接口电路以及智能穿戴设备中的电源管理模块。在通信设备中,该器件可用于射频开关和信号控制电路。由于其快速开关特性和小尺寸封装,也适合用于需要高集成度和低功耗的嵌入式系统。此外,在工业自动化和智能家居设备中,该MOSFET可用于控制小型继电器、LED显示屏和低功耗传感器模块。总之,2SK2292-01S适用于对空间和能效有较高要求的各种电子设备。

替代型号

2SK2291-01S, 2SK3055, 2SK170BL

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