型号：2SK2287
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：12A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：48A
　　导通电阻RDS(on)：23mΩ（@VGS=10V）
　　阈值电压Vth：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：1900pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：490pF（@VDS=25V）
　　反向传输电容Crss：70pF（@VDS=25V）
　　总栅极电荷Qg：33nC（@VGS=10V）
　　功率耗散PD：50W（TC=25℃）
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOP Advance 或类似功率增强型表面贴装封装

2SK2287采用了东芝优化的沟槽型场效应晶体管工艺，这种结构显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其典型RDS(on)仅为23mΩ（在VGS=10V时），使得该器件在大电流负载下仍能保持较低的温升，有利于提高系统的热稳定性与长期运行可靠性。器件的低栅极电荷（Qg=33nC）和低输入电容（Ciss=1900pF）使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低驱动电路的负担，减少开关延迟和能量损耗，适用于高达数百kHz甚至更高的开关频率环境。此外，该MOSFET具备快速的开关响应能力，上升时间和下降时间短，有助于进一步提升转换效率并减小外围滤波元件的尺寸。
　　2SK2287还内置了良好的热反馈机制，其封装设计具有较低的热阻（Rth(j-c)），可有效将芯片产生的热量传导至PCB，配合合理的布局和散热设计，可实现持续高功率运行。该器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，并且在非钳位感性负载条件下表现出较强的抗雪崩能量能力，增强了在瞬态故障或异常断电情况下的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55℃ ~ +150℃）使其可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。此外，该MOSFET的阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），兼容常见的逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器、微处理器等直接接口，无需额外的电平转换电路。综合来看，2SK2287在性能、可靠性和集成度之间实现了良好平衡，是现代高效开关电源设计中的优选器件之一。

2SK2287主要应用于各类高频开关电源系统中，特别是在需要高效率和小体积设计的场合表现突出。它常用于AC-DC适配器、笔记本电脑电源、LCD电视电源模块以及充电器等消费类电子产品中，作为主开关管或同步整流管使用。在DC-DC转换器拓扑结构中，如Buck、Boost和Flyback电路中，2SK2287凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低传导和开关损耗，提升转换效率。此外，该器件也广泛应用于电池供电设备的电源管理系统中，例如便携式医疗设备、移动通信终端和手持仪器，帮助延长电池续航时间。
　　在工业控制领域，2SK2287可用于电机驱动电路、继电器驱动模块以及PLC电源单元中，提供稳定的功率切换功能。其表面贴装封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产，适合大批量制造需求。在LED照明驱动电源中，该MOSFET可用作恒流控制开关，确保灯光亮度稳定且无闪烁。同时，由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可用于汽车电子系统中的车载电源转换模块，如DC-DC变换器和车载充电机等。此外，在太阳能逆变器和小型UPS不间断电源系统中，2SK2287也能胜任功率开关角色，协助实现清洁能源的有效转换与存储。总之，凡是要求高效率、高频率、小尺寸和高可靠性的功率开关应用，2SK2287均是一个理想选择。

TK20A60U, IPB042N60R, FDS6680A, Si4410DY