类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：17.6A
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻Rds(on)：28mΩ（@ Vgs=10V, Id=2.2A）
　　导通电阻Rds(on)：35mΩ（@ Vgs=4.5V, Id=2.2A）
　　阈值电压Vgs(th)：1.0V ~ 2.5V（@ Id=1mA）
　　输入电容Ciss：600pF（@ Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容Coss：190pF（@ Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　反向传输电容Crss：45pF（@ Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　栅极电荷Qg：12nC（@ Vds=15V, Id=4.4A, Vgs=10V）

2SK2257具备多项关键特性，使其在低电压功率开关应用中表现优异。首先，其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在大电流条件下能够有效减少发热，提升系统能效。该器件在Vgs=10V时Rds(on)仅为28mΩ，在Vgs=4.5V时为35mΩ，表明其在逻辑电平驱动下仍能保持良好性能，适用于由3.3V或5V微控制器直接驱动的场合。
　　其次，2SK2257具有较低的栅极电荷（Qg=12nC）和输入电容（Ciss=600pF），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较少，从而降低了驱动电路的设计复杂度和功耗，特别适合用于高频DC-DC转换器和同步整流电路。
　　再次，该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了器件在低电压下即可开启，增强了其在低功耗应用中的适用性。同时，其最大漏源电压为30V，适合用于12V或24V系统中的开关控制，如LED驱动、电机驱动和电源多路复用等。
　　此外，2SK2257采用小型表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于自动化贴片生产，并支持回流焊工艺。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境条件下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
　　最后，该器件具备优良的雪崩耐受能力和抗静电能力，提高了在瞬态过压和浪涌电流情况下的安全裕度，增强了系统的鲁棒性。综合来看，2SK2257是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，适用于多种现代电子系统中的功率控制需求。

2SK2257广泛应用于多种电子系统中，主要集中在需要高效、紧凑且可靠的功率开关解决方案的领域。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该器件常被用作电池电源管理中的负载开关或电源路径控制器，实现对不同功能模块的上电/断电控制，从而优化功耗并延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换器中，特别是降压（Buck）拓扑结构中，2SK2257可用作同步整流开关，替代传统的肖特基二极管以降低导通损耗，提高转换效率。其低Rds(on)和快速开关特性使其在高频率工作条件下依然保持高效，适用于多相电压调节模块（VRM）和点负载电源（POL）。
　　此外，该器件也常见于电机驱动电路中，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，尤其适用于打印机、扫描仪、玩具和家用电器等消费类设备。其逻辑电平兼容性允许直接由微控制器IO口驱动，简化了驱动电路设计。
　　在LED照明应用中，2SK2257可用于恒流驱动或PWM调光控制，特别是在低电压LED阵列中作为开关元件，实现精确的亮度调节。
　　工业控制系统中，该MOSFET可用于传感器电源开关、继电器驱动、电磁阀控制等场合，提供快速响应和低功耗操作。同时，由于其良好的温度稳定性和可靠性，也可用于汽车电子系统中的车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理等非主驱应用场景。总之，2SK2257凭借其优异的电气性能和紧凑封装，成为众多低电压、中等电流功率开关应用的理想选择。

SI2302DS,TSM2302,G2SK2257