型号：2SK2255-01M
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.4A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：17.6A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　阈值电压（Vth）：典型值1.1V，范围0.8V～1.4V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：最大55mΩ（当Vgs=10V时），最大80mΩ（当Vgs=4.5V时）
　　输入电容（Ciss）：典型值400pF（Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值140pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值45pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值25ns
　　封装形式：SOT-23
　　工作结温范围：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃

2SK2255-01M具备优异的电气性能和结构设计，其核心优势体现在低导通电阻与低阈值电压的结合上，这使得它在低电压驱动条件下仍能保持高效的导通状态，显著降低开关损耗和传导损耗。该器件的Rds(on)在Vgs=10V时仅为55mΩ，在Vgs=4.5V时也控制在80mΩ以内，这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以在不牺牲效率的前提下延长续航时间。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。得益于较小的寄生电容（如Ciss、Crss等）和优化的芯片结构，2SK2255-01M实现了极短的开启和关断延迟时间，分别为约10ns和25ns，从而支持高频开关操作，适用于高达数百kHz甚至更高频率的开关电源拓扑结构。这种高速切换能力有助于减小外部滤波元件的尺寸，进一步提升整体电源系统的功率密度。
　　该MOSFET还具备出色的热性能和可靠性。尽管封装体积小，但通过内部引线连接和材料选择的优化，确保了良好的散热路径，允许器件在高负载条件下长时间稳定运行。同时，产品经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和高压应力测试，保证了在严苛工作环境下的长期稳定性。
　　此外，2SK2255-01M具有较强的抗瞬态干扰能力，能够承受一定程度的过压和浪涌电流冲击，配合适当的外围保护电路可有效防止因负载突变或电源波动导致的损坏。其栅极氧化层设计提供了良好的ESD耐受性，通常可达到HBM模式下2000V以上的防护等级，提升了生产过程中的装配良率和终端产品的耐用性。

2SK2255-01M广泛应用于各类中小型功率电子设备中，尤其适合对空间和能效有严格要求的场合。常见应用包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载切换，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动电路、摄像头模块供电控制、USB接口电源管理等。由于其低Vth特性和良好的线性区控制能力，也可用于恒流源或模拟开关电路中。
　　在DC-DC转换器领域，该器件常被用作同步整流MOSFET或主开关管，特别是在降压（Buck）和升压（Boost）拓扑中表现优异。其低Rds(on)减少了能量损耗，提高了转换效率，特别适用于电池供电系统以延长使用时间。此外，在LED驱动电路中，2SK2255-01M可用于精确控制LED电流，实现亮度调节功能。
　　工业控制和通信设备中也常见该器件的身影，例如用于传感器供电的开关控制、隔离式电源的次级侧整流、以及各种小型电源适配器和充电器的内部电路。由于其SOT-23封装体积小巧，便于自动化贴片生产，因此非常适合大批量制造的应用场景。
　　值得一提的是，2SK2255-01M还可用于电机驱动中的低端开关，控制小型直流电机或步进电机的启停和方向切换，尤其是在玩具、家用电器和办公设备中。其快速响应能力和耐久性确保了电机控制的平稳性和可靠性。

2SK3018-01M
　　2SK2237-01M
　　DMG2305UW-7
　　FDS6670AZ