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2SK2254-01S-TE24R 发布时间 时间:2025/8/9 7:35:17 查看 阅读:25

2SK2254-01S-TE24R 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率开关应用,如DC-DC转换器、电源管理模块以及LED照明驱动器等。该MOSFET采用先进的沟槽式技术,提供较低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关特性,从而提高整体效率并减少功率损耗。该器件封装为小尺寸的SOT-23形式,适合在空间受限的应用中使用,并且支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):10V
  连续漏极电流(ID):0.3A
  导通电阻(RDS(on)):2.3Ω(最大值)
  功率耗散(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

2SK2254-01S-TE24R MOSFET具有多项优异特性,适合高频、低功耗电源转换应用。其低导通电阻(RDS(on))可减少导通状态下的功率损耗,提高电源转换效率。该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于在高频开关条件下降低驱动损耗,从而提升整体系统效率。此外,该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力,增强了在瞬态过电压情况下的可靠性。
  该MOSFET采用SOT-23封装,具有较小的封装尺寸,便于在高密度PCB布局中使用。封装材料符合RoHS标准,适合环保电子产品制造。该器件的工作温度范围较宽,可在-55°C至+150°C之间稳定工作,适用于工业级和汽车电子等苛刻环境。
  由于其优异的开关性能和热稳定性,2SK2254-01S-TE24R常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、LED驱动器、负载开关以及便携式设备电源管理电路中。其表面贴装封装形式支持自动化装配,提高了制造效率和焊接可靠性。

应用

2SK2254-01S-TE24R MOSFET广泛应用于各类中小型功率转换电路中。在电源管理领域,该器件常见于便携式设备中的DC-DC转换器,用于提高电池供电系统的效率。例如,在笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源模块中,该MOSFET可作为主开关或同步整流元件使用,实现高效的能量转换。
  在LED照明系统中,2SK2254-01S-TE24R可用于LED驱动器的恒流控制电路,通过快速开关实现调光功能,同时减少功率损耗。其高频响应能力也使其适用于PWM调光控制方案。
  此外,该器件也适用于小型开关电源(SMPS)、适配器、电池充电器以及各类低功耗工业控制设备中的负载开关或功率控制单元。在这些应用中,其低导通电阻和高开关速度有助于提升系统效率,延长设备续航时间或降低运行成本。

替代型号

[
   "2SK2254-01S",
   "2SK2254-01L",
   "Si2302DS",
   "AO3400A"
  ]

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