时间：2025/8/9 0:15:22
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2SK2252-01L 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高速开关性能的电子电路中。这款MOSFET采用了小型表面贴装封装（SOT-23），适合于空间受限的设计，同时提供了良好的热性能。2SK2252-01L在设计上优化了导通电阻和开关损耗，使其适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和各种便携式设备中的功率控制应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：10V
最大连续漏极电流（ID）：100mA
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.5Ω @ VGS = 4.5V
栅极电荷（Qg）：6.5nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT-23
2SK2252-01L具有多项优秀的电气和物理特性，能够满足高要求的应用需求。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下较低的功率损耗，提高了系统的整体能效。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗并提升电路性能。
采用SOT-23封装形式，2SK2252-01L不仅体积小巧，便于集成到紧凑的PCB布局中，而且具备良好的热管理能力，能够在较高温度环境下稳定工作。其最大漏源电压（VDS）为20V，最大栅源电压（VGS）为10V，适用于多种低压功率控制场景。
该MOSFET的额定连续漏极电流为100mA，适用于小功率开关应用。同时，2SK2252-01L的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，保证了其在极端环境下的可靠性和稳定性。这种特性使其成为便携式电子产品、电池供电设备和精密仪器的理想选择。
除了电气性能优越，2SK2252-01L还具有较强的抗干扰能力和良好的长期稳定性。其结构设计和材料选择均符合行业标准，能够在各种工作条件下保持一致的性能表现。
2SK2252-01L MOSFET主要应用于以下领域：便携式电子设备中的电源管理与负载开关控制、电池管理系统（BMS）中的充放电保护电路、小型DC-DC转换器以及LED驱动电路等。其低导通电阻和高速开关特性使其成为高效能、低功耗系统设计中的关键组件。此外，在工业自动化控制、传感器信号调节以及低电压逻辑电路接口中，2SK2252-01L也表现出色。
2SK2251-01L, 2SK2253-01L, 2SK2254-01L
