2SK2248-01S 时间：2025/8/9 12:46:10 阅读：15

2SK2248-01S是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流容量，能够在高压和高频条件下提供出色的性能。其SOT-23封装形式使其适用于空间受限的电路板设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2SK2248-01S具备多项优异特性，使其在低功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在4.5V的栅极驱动电压下仅为几欧姆，确保了在导通状态下的低功耗和高效能。其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，从而提高整体系统效率。
　　此外，2SK2248-01S的SOT-23封装设计不仅体积小巧，便于在紧凑型电路板中布局，而且具备良好的热稳定性。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备的绿色制造要求。
　　该MOSFET还具备良好的抗静电能力（ESD）和过热保护特性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。这些特性使得2SK2248-01S在电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关以及逻辑电平驱动应用中表现出色。

应用

2SK2248-01S广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效能和低功耗的场景。典型应用包括便携式电子产品中的电源管理模块、DC-DC升压和降压转换器、LED驱动电路以及逻辑电平转换器。
　　在电池供电设备中，该MOSFET可以作为负载开关，用于控制不同模块的电源供应，延长电池寿命。在DC-DC转换器中，2SK2248-01S能够高效地进行能量转换，提高系统整体效率。此外，该器件还可用于驱动小型电机、继电器和LED灯串，满足多种控制和驱动需求。
　　由于其SOT-23封装的紧凑设计，2SK2248-01S特别适合在空间受限的电路板中使用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子设备。