类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：900 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：1.5 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：6 A
　　导通电阻RDS(on)：典型值7.0 Ω（在VGS = 10 V时）
　　阈值电压（Vth）：典型值4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约400 pF
　　输出电容（Coss）：约80 pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管优化设计，典型值较长
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

2SK2223具备出色的高压耐受能力，其漏源击穿电压高达900V，使其非常适合用于高电压环境下的开关操作，例如离线式开关电源（SMPS）中作为主开关元件使用。这种高耐压能力可以有效防止在瞬态过压或负载突变情况下发生器件击穿，从而提升系统的安全性和可靠性。
　　该器件具有较低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为7.0Ω，在额定工作条件下能够显著减少导通状态下的功率损耗，进而提高电源转换效率并降低温升。这对于需要长时间连续运行的应用尤为重要，有助于延长设备寿命和减少散热设计复杂度。
　　2SK2223采用了优化的平面工艺结构，实现了良好的栅极控制特性和稳定的阈值电压（Vth约为4.0V），确保在不同温度和负载条件下都能实现可靠开启与关断。同时，其栅源电压最大可达±30V，具备一定的过压容忍能力，增强了电路设计中的鲁棒性。
　　该MOSFET具备较高的输入阻抗和快速的开关响应速度，能够在高频开关应用中表现出色。尽管其寄生电容相对较小（如Ciss约400pF），但仍需合理设计驱动电路以避免开关过程中的振荡或延迟现象。此外，该器件未特别优化内部体二极管的反向恢复特性，因此在需要频繁反向导通的应用中建议外接快恢复二极管或采用同步整流方案。
　　从热管理角度来看，2SK2223采用TO-220封装，具有优良的热传导性能，配合适当的散热片可有效将芯片结温控制在安全范围内。其最大允许功耗为50W，结温范围宽达-55°C至+150°C，适应性强，可在恶劣环境条件下稳定工作。

2SK2223广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要高耐压和高效能转换的场合。典型应用包括AC-DC开关电源适配器、电视机和显示器的背光电源、LED照明驱动电源以及小型逆变器等设备。由于其900V的高击穿电压，该器件常被用作反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中的主开关管，能够在输入电压波动较大的电网环境中保持稳定运行。
　　在工业控制领域，2SK2223可用于电机驱动电路中的功率开关部分，尤其是在低功率直流电机或步进电机的斩波控制中发挥重要作用。此外，它也适用于不间断电源（UPS）、电池充电器以及太阳能微逆变器等新能源相关产品中，承担能量转换和调节功能。
　　由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，2SK2223还可用于环境较为严苛的工业自动化设备中，如PLC模块、传感器供电单元或远程通信终端的电源模块。在这些应用中，器件不仅需要承受较高的电压应力，还需保证长期工作的可靠性与安全性。
　　在家用电器方面，该MOSFET常见于微波炉高压电源、空调内外机的开关电源模块以及洗衣机、冰箱等白色家电的控制板电源部分。其高耐压特性能够应对市电波动带来的冲击，而低导通电阻则有助于提升整机能效等级，满足日益严格的节能标准。
　　此外，2SK2223也可作为电子镇流器中的核心开关元件，用于荧光灯或高强度气体放电灯（HID）的启动与稳态控制。在这些应用中，器件需要承受较高的dv/dt和di/dt应力，而2SK2223凭借其坚固的结构设计和良好的动态特性，表现出较强的耐受能力。

2SK2594, 2SK2641, 2SK2667, 2SK2695