时间：2025/8/9 10:58:39
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2SK2215-01S 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和马达控制等应用。该器件采用小型SOT-23（SC-59）封装，适合在需要高效率和小尺寸设计的电路中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：50V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约3Ω（VGS=10V时）
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
2SK2215-01S 具有低导通电阻的特点，能够在相对较低的栅极电压下实现较好的导通性能，从而降低开关损耗并提高整体效率。由于其最大漏极电流为100mA，适用于中低功率的开关应用。此外，该MOSFET具有较高的栅极击穿电压（±20V），使得在复杂电磁环境下具有更好的稳定性和抗干扰能力。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于在高密度PCB布局中使用。
该器件的高频特性良好，适合用于开关频率较高的场合，如DC-DC转换器、LED驱动电路和电池管理系统。此外，2SK2215-01S 的热阻较低，有助于在运行过程中有效散热，从而提高器件的长期可靠性。由于其结构设计优化，2SK2215-01S 在高频工作下仍能保持较低的开关损耗，使其成为便携式电子产品和小型电源模块的理想选择。
2SK2215-01S 主要应用于以下领域：
1. 高频DC-DC转换器和升压/降压电源模块
2. 便携式电子设备中的电源管理电路
3. LED背光驱动与照明控制
4. 电池供电设备中的负载开关和保护电路
5. 小型电机控制和继电器驱动电路
6. 信号切换与模拟开关应用
2SK2216-01S, 2SK2214-01S, 2N3904, 2N2222
