型号：2SK2198
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A
　　最大功耗（Pd）：40 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65 Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约600 pF（在Vds=25V, f=1MHz条件下）
　　输出电容（Coss）：约150 pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（MOSFET无少子存储效应）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK2198具备多项优异的电气与物理特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在导通状态下的功率损耗，提升了系统能效，尤其在大电流应用场景下效果更为明显。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为0.65Ω，这意味着在额定电流下产生的热量较少，有助于减少散热设计的复杂度和成本。此外，低Rds(on)也意味着更高的电流承载能力，在相同功耗限制下可支持更大的负载电流。
　　其次，2SK2198采用了平面硅栅极技术，这种结构优化了载流子迁移路径，增强了器件的开关性能。它具有较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源（如SMPS）、逆变器和DC-AC转换器等对效率要求较高的场合。快速的开关响应还能减少电磁干扰（EMI），提高系统的电磁兼容性。
　　再者，该MOSFET具备高达500V的漏源击穿电压，确保其在高压环境中运行的安全性和稳定性。这一特性使其适用于通用开关电源、LED驱动电源以及工业控制设备中的高压侧开关应用。同时，其栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，使得它可以被标准的5V或10V驱动信号有效控制，兼容性强，便于集成到现有的控制电路中。
　　2SK2198还具备良好的热稳定性与可靠性。TO-220封装提供了优良的散热路径，能够将内部产生的热量迅速传导至外部散热器，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境条件，包括高温工业环境和低温户外设备。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。综合来看，2SK2198凭借其低损耗、高耐压、良好热性能和易于驱动等优点，成为中功率开关应用的理想选择。

2SK2198广泛应用于各类需要高效功率转换和控制的电子系统中。其主要应用领域包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、PC电源模块和工业电源系统，在这些应用中，2SK2198作为主开关元件，负责高频通断以实现高效的能量转换。由于其具备高耐压和低导通电阻，特别适合用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的电源设计。
　　此外，该器件也常用于DC-DC转换器中，尤其是在升压（Boost）、降压（Buck）和升降压（Buck-Boost）电路中作为功率开关使用。在这些应用中，2SK2198的快速开关能力和低开关损耗有助于提升转换效率，并减少对外部散热装置的依赖。
　　在照明系统方面，2SK2198可用于LED驱动电源，特别是在高压直流供电的LED灯具中，作为恒流控制或脉宽调制（PWM）调光的开关元件。其稳定的电气特性和良好的热性能保证了LED光源的长期可靠运行。
　　工业控制设备如电机驱动器、继电器驱动电路和电磁阀控制系统中也常见2SK2198的身影。在这些应用中，它用于控制感性负载的通断，利用其高耐压特性来抑制关断时产生的反向电动势，保护电路免受损坏。
　　此外，2SK2198还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆变器等新能源相关设备中，承担能量转换和调控的关键角色。总之，凡是需要中等功率、高效率、高可靠性的开关应用，2SK2198都是一个值得信赖的选择。

2SK2197
　　2SK2216
　　2SK2645
　　K2198