型号：2SK2180
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：7A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大值，@ Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：4.0V～6.0V
　　输入电容（Ciss）：900pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@ Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：45pF（@ Vds=25V）
　　栅极电荷（Qg）：50nC（@ Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃
　　封装类型：TO-220

2SK2180具备多项高性能特性，使其在中高压功率开关应用中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压（Vds）确保了器件在高压环境下的安全可靠运行，适用于AC-DC电源转换器和离线式开关电源等对耐压要求较高的场合。其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)典型值仅为0.65Ω，在同类产品中处于较低水平，有助于降低导通损耗，提升系统能效。此外，得益于优化的硅栅极结构，2SK2180实现了快速的开关速度，输入电容和反向传输电容较小，从而减少了驱动电路的能量消耗，并提高了高频工作的稳定性。
　　另一个显著特点是其优秀的热性能和长期可靠性。TO-220封装提供了良好的热传导路径，使芯片结温有效降低，延长了器件寿命。同时，2SK2180经过严格的质量控制和老化测试，具备较强的抗雪崩能力和抗瞬态过压能力，能够在异常工况下维持正常工作而不发生永久性损坏。这种鲁棒性使其非常适合用于工业控制、不间断电源（UPS）和电机驱动等关键应用场景。
　　此外，2SK2180的阈值电压范围适中（4.0V～6.0V），兼容多种常见的PWM控制器输出逻辑电平，便于与标准驱动电路集成。其栅极电荷Qg为50nC，在保证快速开关的同时不会对驱动电路造成过大负担，平衡了开关速度与驱动损耗之间的关系。总体而言，2SK2180是一款综合性能优越、可靠性高的功率MOSFET，适用于对效率、稳定性和耐用性有较高要求的现代电力电子系统。

2SK2180广泛应用于各类中高功率开关电路中，尤其适合于需要高电压隔离和高效能量转换的电源系统。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、PC电源、服务器电源模块等，其中它常作为主开关管使用，负责将输入交流电整流后进行高频斩波，实现高效的电压变换。此外，在DC-DC升压或降压转换器中，2SK2180可用于同步整流或主控开关，提供低导通损耗和高转换效率。
　　该器件也常见于电子镇流器和节能灯电源电路中，用于驱动荧光灯或LED光源，其快速响应特性和高耐压能力可有效提升照明系统的启动性能和运行稳定性。在电机控制领域，2SK2180可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现精确的速度与方向控制，广泛应用于家电、办公自动化设备和工业控制系统中。
　　另外，2SK2180还可用于逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器以及太阳能微逆变器等新能源相关设备中，承担核心功率切换功能。由于其具备良好的抗干扰能力和热稳定性，即使在恶劣的工作环境下也能保持长时间可靠运行，因此在工业电源、通信电源及消费类电子产品中均得到了广泛应用。

2SK2181, 2SK2182, 2SK2183, FQP50N50, STP7NK50ZFP, 2SK3564