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2SK2177 发布时间 时间:2025/7/19 1:05:52 查看 阅读:9

2SK2177 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等高频功率转换系统中。这款MOSFET采用了先进的沟槽式(Trench)技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,能够在较高的频率下高效运行。由于其优异的热稳定性和高电流处理能力,2SK2177 在电源管理和功率控制领域得到了广泛应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(Vdss):60V
  最大栅极电压(Vgss):±20V
  最大连续漏极电流(Id):10A(在Tc=25℃)
  最大功率耗散(Pd):60W
  导通电阻(Rds(on)):最大22mΩ(在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装类型:TO-220

特性

2SK2177 MOSFET采用先进的Trench技术,显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了系统的能效。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色,同时减少了功率损耗和热量产生。
  此外,2SK2177具有优异的开关特性,包括快速的上升和下降时间,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。栅极电荷(Qg)较低,有助于提高开关速度并降低驱动电路的负担。
  该器件的封装设计具备良好的热管理能力,能够在较高的工作温度下稳定运行,具有良好的热稳定性和可靠性。其TO-220封装便于安装和散热片连接,适用于多种功率电子设备。
  2SK2177还具备良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定运行,增强了系统的安全性和可靠性。

应用

2SK2177主要应用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等。在这些应用中,其低导通电阻和快速开关性能有助于提高能效和减小系统尺寸。
  此外,2SK2177也适用于电机驱动电路、逆变器和电源管理模块。在电机控制应用中,它能够提供稳定的电流控制,并在高负载条件下保持良好的热性能。
  由于其优异的可靠性和热稳定性,2SK2177还可用于工业自动化、通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统中,如车载充电系统、LED驱动器和不间断电源(UPS)等。

替代型号

2SK2178, 2SK2180, IRFZ44N, FDP6030L, Si4410DY

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