2SK2175 时间：2025/8/7 14:26:19 阅读：20

2SK2175 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。该器件具有高耐压、低导通电阻及良好的热稳定性等特点，适用于中高功率应用。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：150A
　　漏源击穿电压（VDS）：60V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.014Ω（最大）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

2SK2175 MOSFET的核心特性在于其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流工作时能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的漏极电流额定值高达150A，适用于大功率负载控制和高效率的电源设计。
　　此外，2SK2175采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度应用中使用。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在4V至10V之间实现良好的导通状态，兼容多种驱动电路设计。
　　该MOSFET具备较高的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下可靠工作。其漏源极之间的击穿电压为60V，适用于中等电压等级的电源管理应用，如同步整流、电机驱动和DC-DC转换器等。
　　2SK2175还具有快速开关特性，能够支持高频工作，减少开关损耗，提高整体系统的效率。同时，该器件的栅极电荷量较低，有助于减少驱动电路的功耗并提升响应速度。

应用

2SK2175 常用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流电路、电机控制驱动器、负载开关、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合需要高效能和高可靠性的电源管理系统。
　　此外，该器件也可用于音频功率放大器中的输出级、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及各类高功率LED照明驱动电路中。