类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　漏极电流（Id）：15 A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38 Ω @ Vgs = 10 V
　　功率耗散（Ptot）：50 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220AB

2SK216K作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其高漏源电压（Vds）额定值为500 V，使其适用于高电压应用场景，如开关电源和高压电机控制。此外，该器件的栅源电压（Vgs）额定值为±30 V，提供了较高的栅极驱动灵活性，并减少了因过电压造成的损坏风险。
　　其次，2SK216K的导通电阻（Rds(on)）为0.38 Ω，在Vgs = 10 V时表现良好，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其最大漏极电流为15 A，能够支持较大的负载电流，满足中高功率应用的需求。
　　在热性能方面，该器件的最大功率耗散为50 W，并采用TO-220AB封装，确保了良好的散热能力。该封装形式也便于安装在散热片上，以进一步提高热管理效率。此外，2SK216K的工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的环境适应性，适用于工业级和汽车电子等严苛环境的应用场景。
　　最后，该MOSFET具有快速开关能力，能够在高频条件下稳定工作，从而提高电源系统的整体性能。结合其高可靠性和优异的热稳定性，2SK216K是许多中高功率电子系统中不可或缺的元件。

2SK216K广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。其中，最常见的应用包括开关电源（SMPS），如AC-DC适配器、电源模块和LED驱动电源。由于其高耐压能力和低导通电阻，它能够在高频开关条件下提供高效率和稳定的性能。
　　此外，该器件也适用于DC-DC转换器，如升压（Boost）、降压（Buck）和反相（Flyback）拓扑结构，用于电动汽车、工业自动化设备和通信设备中的电源调节系统。在电机控制方面，2SK216K可用于驱动小型电机、风扇和泵类设备，适用于家用电器、电动工具和自动化控制系统。
　　同时，该MOSFET还可用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，作为关键的功率开关元件，实现高效的能量转换和管理。在太阳能逆变器和储能系统中，2SK216K也可用于功率调节模块，提高系统的整体效率和稳定性。
　　总的来说，2SK216K凭借其优异的电气性能和良好的散热能力，广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备和新能源等多个领域。

2SK216Y, 2SK1530, 2SK1318, 2SK2225