2SK2167 时间：2025/8/2 6:18:32 阅读：50

2SK2167是一种N沟道功率MOSFET，广泛应用于高电流和高频开关场合。该器件由东芝（Toshiba）公司制造，适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等应用。该MOSFET采用高密度沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其封装形式通常为TO-220或类似的大功率封装，以支持较高的电流和良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为27mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　技术：沟槽型MOSFET

特性

2SK2167具有多项优越的电气和物理特性，使其适用于各种高功率、高效率的电子系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）特性显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体效率。其次，该器件支持高达50A的连续漏极电流，适合大电流负载的应用，如电动工具、电源转换器和电机控制电路。
　　此外，2SK2167的栅极驱动电压范围较宽，允许在VGS=+10V至+20V之间工作，这为设计人员提供了灵活性，并允许使用不同的栅极驱动电路。其沟槽结构优化了载流能力并提高了开关速度，有助于在高频操作中减少开关损耗。
　　在热性能方面，TO-220封装提供了良好的散热效果，确保在高负载条件下仍能稳定工作。器件的额定功率耗散为150W，进一步增强了其在高功率环境中的可靠性。此外，2SK2167的宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在各种极端环境条件下运行，例如工业控制和汽车电子应用。
　　综合来看，2SK2167是一款高性能、可靠的N沟道MOSFET，具备低导通电阻、高电流能力、优异的开关性能和良好的散热特性，适用于广泛的功率电子应用。

应用

2SK2167被广泛应用于需要高电流和高效能的电子设备中。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器和电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET非常适合用于电源转换电路，如降压（Buck）和升压（Boost）变换器。此外，它也常用于电动工具、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和汽车电子系统中的高功率开关控制。在音频放大器和功率放大器设计中，2SK2167也常用于提高效率和稳定性。