2SK2166 时间：2025/8/9 14:17:08 阅读：31

2SK2166是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频率开关应用和功率放大电路中。该器件由东芝（Toshiba）公司生产，具备高耐压、大电流能力和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及音频放大器等场合。2SK2166采用TO-220封装形式，具备良好的热稳定性和散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：150V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：5A（连续）
　　功耗（PD）：40W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

2SK2166作为一款功率MOSFET，具备多项优良特性。首先，其漏源电压高达150V，能够承受较高的电压应力，适用于高压应用环境。其次，最大连续漏极电流为5A，使得该器件能够在中等功率负载下稳定工作。此外，导通电阻RDS(on)的最大值为0.65Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，例如DC-DC转换器和开关电源。TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高功率运行时的稳定性。2SK2166还具有良好的热阻性能，可有效防止因温度升高而导致的性能下降或损坏。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极抗压能力，适合多种驱动电路设计。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的环境条件。

应用

2SK2166广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要高电压和中等电流能力的场合。常见的应用包括电源管理电路、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动器和逆变器等。此外，该器件也常用于音频放大器的输出级，提供较高的输出功率和效率。
　　在工业自动化和控制系统中，2SK2166可用于驱动继电器、电磁阀和传感器等负载。由于其具备良好的高频响应，也可用于射频（RF）功率放大器和高频开关电路。由于其封装形式便于安装和散热，因此也适用于需要长时间稳定运行的工业设备和电源模块。