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2SK2162 发布时间 时间:2025/7/15 20:37:49 查看 阅读:13

2SK2162 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效率和高性能的电子设备中。这款MOSFET以其低导通电阻、快速开关速度和较高的热稳定性著称,适合用于电源转换器、电机控制以及各类功率管理应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):最大200V
  栅源电压(Vgs):最大±30V
  连续漏极电流(Id):最大15A
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220

特性

2SK2162 具备一系列优异的电气和物理特性,使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先,其漏源之间的最大耐压值达到200V,能够在高压环境下稳定工作。同时,最大连续漏极电流为15A,满足较高功率负载的需求。
  其次,该器件采用了先进的平面工艺技术,实现了较低的导通电阻(Rds(on)),通常小于0.25Ω,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。此外,2SK2162 的栅极设计优化了驱动性能,使开关速度更快,进一步降低了开关损耗。
  在可靠性方面,2SK2162 设计有良好的散热性能,TO-220封装能够有效散发运行过程中产生的热量,保证器件长时间工作的稳定性。其宽广的工作温度范围也使其适用于各种苛刻的环境条件,包括工业自动化和车载设备等。
  最后,由于其具备较高的抗雪崩能力和静电放电(ESD)保护能力,2SK2162 在复杂电磁环境中表现出较强的鲁棒性,能够有效防止因过压或瞬态干扰引起的损坏。

应用

2SK2162 常被用于多种功率电子系统中,例如直流-直流(DC-DC)转换器、交流-直流(AC-DC)电源适配器、电池充电管理系统以及电机驱动电路等。在汽车电子领域,该MOSFET可用于车载逆变器、电动助力转向系统(EPS)以及其他需要高效能功率控制的模块。
  此外,2SK2162 也适用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统中的执行机构驱动电路。由于其优异的开关特性和热管理能力,在需要高频操作的应用场景中表现尤为出色,有助于提高系统的整体响应速度与效率。

替代型号

[
   "2SK1530",
   "IRFZ44N",
   "2SK2648"
  ]

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