型号：2SK2161
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：7A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85Ω（Max 1.2Ω）@ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1000pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：典型值190pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值40pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值25ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值60ns
　　最大功耗（Pd）：150W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK2161具备多项优异的电气与物理特性，使其在中高压功率开关应用中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压（Vds）确保了在高电压环境下工作的安全性与稳定性，适用于AC-DC整流后的母线电压等级应用，如通用开关电源和离线式变换器。其次，该器件的导通电阻Rds(on)最大为1.2Ω，在同类产品中处于较低水平，有助于降低导通损耗，提升整体能效，尤其在持续负载条件下可显著减少发热。
　　该MOSFET采用平面硅栅技术，优化了载流子迁移率与电场分布，提升了器件的开关速度和耐压能力。其输入电容和反向传输电容较小，降低了驱动电路的负担，并减少了开关过程中的能量损耗，从而支持更高的工作频率。典型开启延迟时间为25ns，关断延迟时间为60ns，表明其具备快速响应能力，适合用于高频PWM控制场景。
　　热性能方面，2SK2161的最大功耗可达150W（在壳温25°C条件下），配合TO-220封装良好的热传导特性，可通过外接散热片有效散发热量，保证长时间运行的可靠性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的工业与车载应用。
　　此外，2SK2161具有较强的抗雪崩能力和抗di/dt能力，能够承受一定程度的电压过冲和电流瞬变，增强了系统的鲁棒性。栅源电压允许±30V范围，提供了一定的驱动灵活性，同时内置的体二极管可用于续流，简化电路设计。综合来看，这些特性使2SK2161成为一款可靠、高效的功率开关器件，适用于对性能和稳定性要求较高的电源系统。

2SK2161广泛应用于多种电力电子系统中，主要集中在需要高效、高频开关操作的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS），尤其是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥拓扑结构中作为主开关器件使用，适用于电视机、显示器、打印机等消费类电子产品的电源模块。此外，在DC-DC升压或降压转换器中，该MOSFET可用于实现高效的能量转换，满足工业控制系统和通信设备对稳定供电的需求。
　　在照明领域，2SK2161可用于电子镇流器和高强度气体放电灯（HID）驱动电路，凭借其快速开关能力和高耐压特性，确保灯管启动和运行过程中的稳定电流控制。在逆变器系统中，如太阳能逆变器或UPS不间断电源，该器件可作为桥式电路的一部分，参与直流到交流的转换过程，提供可靠的功率切换功能。
　　工业电机驱动也是其重要应用方向之一，特别是在小功率电机的PWM调速控制中，2SK2161能够精确调节电机转速并保持高效运行。同时，由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，也被用于各类电源适配器、充电器和电池管理系统中。总之，凡是涉及中高电压、中等电流且要求高效率和高可靠性的功率控制场景，2SK2161均是一个理想的选择。

2SK2160, 2SK2162, STP7NK50ZFP, FQP7N50, IRFBC40