2SK2161-T 时间：2025/12/28 10:18:20 阅读：14

2SK2161-T是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高效率功率转换场合。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高输入阻抗和快速开关响应的特性，适合在高频工作条件下实现较低的传导损耗与开关损耗。2SK2161-T封装形式为TO-220或TO-220AB，这种封装具有良好的散热性能，适用于中等功率水平下的应用环境。该MOSFET通常用于消费类电子产品中的电源管理模块，如电视机、音响设备、照明驱动电源等。其额定漏源电压（VDS）为500V，表明它可以承受较高的电压应力，适用于离线式开关电源设计中作为主开关器件使用。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。由于采用了优化的芯片结构设计，2SK2161-T在高温条件下的性能衰减较小，确保了长期工作的稳定性与安全性。

参数

型号：2SK2161-T
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：7A（TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.55Ω（@ VGS=10V, ID=3.5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（PD）：50W（TC=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

特性

2SK2161-T具备优异的电气性能和热稳定性，是专为高效率开关电源系统设计的功率MOSFET。其核心优势之一在于较低的导通电阻，在标准测试条件下，RDS(on)典型值仅为0.55Ω，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。同时，该器件支持高达7A的连续漏极电流（在壳温25℃时），在短时脉冲负载下可承受最高达28A的峰值电流，表现出良好的过载能力。
　　该MOSFET采用平面硅栅极技术，使栅极电荷（Qg）相对较低，有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，从而降低开关过程中的能量损失。这对于高频工作的开关电源尤为重要，能够有效提升系统的开关频率上限并减小外围滤波元件的体积。此外，2SK2161-T的阈值电压范围设定在2.0V至4.0V之间，保证了器件在不同驱动电平下均能可靠开启，兼容多种常见的PWM控制IC输出逻辑电平。
　　在可靠性方面，2SK2161-T具有出色的抗雪崩击穿能力，能够在意外电压瞬变或感性负载关断过程中吸收一定的能量而不损坏。这一特性增强了电源系统的鲁棒性，减少了因电压尖峰导致器件失效的风险。器件的最大工作结温可达150℃，配合TO-220封装良好的散热特性，可在较宽的环境温度范围内稳定运行。同时，其±30V的栅源电压耐受能力也提升了对异常工况的容忍度，避免因栅极过压造成永久性损伤。

应用

2SK2161-T常被用于各类中等功率开关电源系统中，例如AC-DC适配器、LED照明驱动电源、家用电器电源模块以及工业控制设备中的DC-DC转换器。由于其500V的高耐压特性，特别适用于连接整流后市电的离线式反激变换器（Flyback Converter）拓扑结构中，作为主开关管实现能量传递与调节。此外，在电机控制应用中，该器件也可用于H桥电路中的低端或高端开关，驱动小型直流电机或步进电机，实现启停与调速功能。
　　在UPS不间断电源、电子镇流器及电池充电器等产品中，2SK2161-T凭借其高效率、高可靠性和成熟的封装工艺，成为设计师常用的功率开关元件之一。其TO-220封装便于安装在散热片上，适用于需要手动焊接或插件安装的生产流程，尤其适合中小批量生产和维修替换场景。由于该型号在市场上已有较长的应用历史，配套的设计资料和应用笔记较为丰富，有利于工程师快速完成电路设计与调试。