2SK214-E 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器等应用。该器件采用TO-220封装形式,具备良好的导通性能和较低的开关损耗,适用于中高功率的电子设备。其设计旨在提供高效率和可靠性,是许多工业和消费类电子产品中常用的功率器件。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):20A
导通电阻(Rds(on)):约0.042Ω(典型值)
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
2SK214-E MOSFET具有多个关键特性,使其在多种电源管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力,能够在较宽的温度范围内稳定运行。2SK214-E采用了先进的沟槽式MOSFET技术,增强了开关性能,减少了开关损耗,适用于高频操作环境。其坚固的封装设计提供了良好的散热性能,确保在高功率应用中保持稳定。该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力,能够在极端条件下提供更高的可靠性和耐用性。
在栅极驱动方面,2SK214-E支持标准的10V栅极驱动电压,兼容大多数常见的MOSFET驱动IC,便于集成到各种电路设计中。其快速的开关速度也有助于减小外围电路的体积,提高系统整体的紧凑性和效率。此外,该器件具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能维持性能,避免因过热导致的系统故障。
2SK214-E MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制电路、逆变器、LED驱动器以及工业自动化设备中的功率开关。其优异的性能使其成为许多高效率、高频率开关电路的理想选择。例如,在开关电源中,2SK214-E可以作为主开关元件,提供高效率的功率转换;在电机控制应用中,它可以作为H桥电路的一部分,实现对电机方向和速度的精确控制。此外,该器件也常用于音频功率放大器中的电源部分,以提升整体能效和稳定性。
IRFZ44N, FDPF4N60, 2SK2646, SiHG47N60EF