类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极连续电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2SK212D具有多项优异的电气和热性能，适用于中高功率应用。其主要特性包括：
　　1. 高电压耐受能力：漏源电压（Vds）可达500V，适合用于高压电路设计。
　　2. 低导通电阻：Rds(on)最大为0.38Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 高电流承载能力：可连续承载15A漏极电流，满足高功率负载需求。
　　4. 快速开关特性：MOSFET结构使其具备快速开启和关闭能力，适用于高频开关应用。
　　5. 热稳定性好：TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高温环境下仍能稳定运行。
　　6. 高可靠性：采用成熟的硅工艺和封装技术，确保器件在严苛环境下的长期可靠性。

2SK212D广泛应用于多种电力电子系统中，主要用途包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关或同步整流器使用，提高转换效率。
　　2. DC-DC转换器：用于升压或降压变换电路，适用于工业控制和通信设备。
　　3. 电机驱动和控制：作为H桥或单向驱动电路中的功率开关，控制电机启停和方向。
　　4. 逆变器和UPS系统：在逆变电路中作为功率开关，实现直流到交流的转换。
　　5. 工业自动化设备：用于高电压、高电流的负载控制，如继电器替代、加热元件控制等。
　　6. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路中，实现高效的能量管理。

2SK1530, IRF840, 2SK1176