型号：2SK2122
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65Ω（@Vgs=10V, Id=3.5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（Pd）：50W（@TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：典型值1200pF（@Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值450pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值80pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值45ns

2SK2122具备多项优异的电气与物理特性，使其成为高性能功率开关应用的理想选择。首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值仅为0.65Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。这对于需要长时间运行或对热管理要求较高的设备尤为重要。此外，其高达500V的漏源击穿电压使其能够安全地应用于高压电源系统中，如AC-DC适配器、LED驱动电源和光伏逆变器等。
　　其次，2SK2122采用了优化的栅极结构设计，确保了快速的开关响应能力。其开启延迟时间约为15ns，关断延迟时间为45ns，配合较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），可在高频开关环境下实现快速切换，减少开关损耗，提升转换效率。这种高速开关特性特别适合用于高频DC-DC变换器和PWM控制电路中。
　　再者，该器件具备良好的热稳定性和过载承受能力。其最大功耗可达50W（在壳温25°C条件下），并支持-55°C至+150°C的工作结温范围，确保在极端温度条件下仍能可靠运行。同时，2SK2122具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中吸收能量，防止器件因电压尖峰而损坏，从而增强系统的鲁棒性。
　　最后，2SK2122采用TO-220封装，具备优良的散热性能和机械强度，便于安装于散热片上以进一步提升散热效果。该封装还符合行业标准，兼容大多数现有的PCB布局和装配流程，有利于产品设计的标准化与维护。综合来看，2SK2122在性能、可靠性与易用性之间实现了良好平衡，是中等功率开关应用中的优选器件。

2SK2122广泛应用于多种电力电子系统中，主要作为高效的开关元件使用。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，用于实现交流到直流的高效转换。由于其高耐压和低导通电阻特性，它非常适合用于通用AC-DC适配器、充电器和工业电源模块。
　　此外，该器件也常用于DC-DC转换器中，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）和升降压（Buck-Boost）电路中，作为主开关管来调节输出电压。在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，2SK2122可用于直流侧的开关控制，帮助实现能量的有效转换与管理。
　　在电机驱动领域，2SK2122可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关使用，尤其适用于家用电器、办公自动化设备和小型工业设备中的电机控制。
　　其他应用还包括电子镇流器、LED照明电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及各种需要高压、中等电流开关功能的嵌入式控制系统。凭借其高可靠性与成熟的技术平台，2SK2122在消费类电子产品、工业控制、通信电源等多个领域均有广泛应用。

2SK2123, 2SK2124, 2SK2542, 2SK2642, IRF840, FQP8N50, STP7NB60