2SK210-GR 时间：2025/5/20 21:11:37 阅读：2

2SK210-GR是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频功率放大器、射频开关等电子电路中。该器件属于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）类型，适用于高频和高效率的功率放大应用。它具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够在高频条件下提供出色的性能。

参数

型号：2SK210-GR
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源击穿电压：30V
　　栅源击穿电压：±20V
　　最大漏极电流：8A
　　导通电阻：0.4Ω
　　栅极电荷：25nC
　　输入电容：670pF
　　输出电容：100pF
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-39

特性

2SK210-GR以其卓越的高频性能而著称。其低导通电阻能够减少功率损耗，提高整体效率。此外，该器件的高击穿电压使其适合于需要稳定性和可靠性的高压应用场景。
　　在高频条件下，2SK210-GR表现出良好的线性度和增益性能，这使得它成为射频功率放大器的理想选择。同时，它的紧凑型TO-39封装设计便于集成到小型化设备中，进一步提升了其在现代电子设备中的应用价值。
　　该器件还具备快速开关能力，可以有效降低开关损耗，并且其热稳定性保证了在极端温度条件下的正常运行。由于其高效的散热特性和坚固的设计，2SK210-GR在各种工业和通信应用中均表现优异。

应用

2SK210-GR广泛应用于高频功率放大器领域，例如无线通信基站、业余无线电设备和工业射频设备等。此外，它也常用于射频开关、脉冲形成网络以及雷达系统等对频率响应要求较高的场景。
　　在消费类电子产品中，2SK210-GR可用于音频功率放大器、电机驱动器以及其他需要高效功率转换的场合。由于其高效率和可靠性，该器件也被广泛应用于航空航天和国防领域，为关键任务提供支持。