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2SK2099-01 发布时间 时间:2025/8/8 19:53:07 查看 阅读:9

2SK2099-01 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,适用于高频率开关应用。这款MOSFET具备低导通电阻和高功率处理能力,适合用于电源转换器、电机控制和各种需要高效能开关性能的电子设备。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流:5A
  最大漏源电压:60V
  导通电阻(Rds(on)):0.27Ω
  封装形式:TO-92
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

2SK2099-01 具备多项优良特性,使其在功率电子应用中表现卓越。首先,它的低导通电阻(Rds(on))为0.27Ω,可以显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,该器件的最大漏源电压为60V,最大漏极电流为5A,使其适用于中等功率的开关电路。
  此外,2SK2099-01 采用TO-92封装,具备良好的热稳定性和机械强度,适用于各种工业环境。该封装形式也有助于散热,提高器件的可靠性。
  这款MOSFET的高开关频率特性使其适用于高频电源转换器,例如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动电路。同时,其耐用的结构设计和宽工作温度范围(-55°C至150°C)也使其适用于汽车电子、消费类电子产品和工业控制系统。

应用

2SK2099-01 主要应用于需要中等功率开关能力的电路中。常见应用包括电源管理模块、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、LED驱动器以及各种类型的开关电源。此外,它也可用于音频放大器的功率输出级、自动控制系统的开关元件以及便携式电子设备的电源管理电路。

替代型号

2SK2098, 2SK3057

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