时间：2025/8/9 4:45:34
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2SK2098-01M(MR) 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频电源转换器、电源管理系统和DC-DC转换器等应用。这款MOSFET采用先进的沟槽栅极结构，提供低导通电阻（Rds(on)）和高效率的功率处理能力。其封装形式为SOP（小型封装），适合在空间受限的设计中使用。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ @ Vgs=4.5V
最大功耗（Pd）：40W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOP
输入电容（Ciss）：750pF @ Vds=15V
开启阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 2.5V
2SK2098-01M(MR) MOSFET的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，使得在低Vgs电压下仍能保持良好的导通性能。其SOP封装设计不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
此外，该MOSFET具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关等。由于其低输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），2SK2098-01M(MR) 在高频工作时能够减少开关损耗，提高整体系统性能。
2SK2098-01M(MR) MOSFET广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电池充电器和电机控制电路。在便携式电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，该MOSFET可用于电源管理模块，以提高能效和延长电池续航时间。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413PBF, FDS6680, AO4406A
