型号：2SK2095
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　漏极电流（Id）：7 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85 Ω（最大值，典型条件下）
　　阈值电压（Vth）：4 V ~ 6 V
　　输入电容（Ciss）：520 pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：110 pF @ Vds=25V
　　反向传输电容（Crss）：15 pF @ Vds=25V
　　栅极电荷（Qg）：28 nC @ Vgs=10V
　　最大结温（Tj）：150 °C
　　封装形式：TO-220

2SK2095的核心特性之一是其高耐压与低导通电阻的结合，使其在中等功率开关应用中表现出卓越的能效。其500V的漏源击穿电压允许它用于离线式开关电源设计，例如AC-DC适配器、LED照明驱动电源以及家用电器中的功率因数校正（PFC）电路。与此同时，低于0.85Ω的Rds(on)意味着在7A的工作电流下，导通损耗相对较低，有助于减少发热并提升系统效率。这种平衡的设计使2SK2095成为性价比极高的功率开关选择。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。得益于较小的栅极电荷（Qg = 28nC）和低输入/输出电容，2SK2095可以实现快速的开启和关断响应，从而显著降低开关过程中的动态损耗。这对于工作频率较高的电源拓扑（如反激式、正激式或LLC谐振转换器）尤为重要。快速的开关能力还能减小磁性元件的体积，有利于实现设备的小型化与轻量化。此外，较低的Crss（反向传输电容）提升了器件对dv/dt噪声的抗扰度，降低了误触发的风险，提高了系统稳定性。
　　热性能方面，2SK2095采用TO-220封装，具有良好的热传导路径，配合外部散热片可有效将结温控制在安全范围内。最大结温可达150°C，表明其可在较严苛的环境温度下持续运行。该器件还具备一定的雪崩能量承受能力，在突发电压过冲或感性负载切换时提供额外保护，增强整体系统的可靠性。此外，±30V的栅源电压容限使得其在面对驱动信号波动时更具鲁棒性，避免栅氧化层击穿风险。
　　从制造工艺角度看，2SK2095基于成熟的平面硅技术，保证了批次间的一致性和长期供货稳定性。其符合RoHS指令，适用于绿色环保产品设计。尽管当前市场上部分新型超结MOSFET在性能上更优，但2SK2095凭借成熟的技术、稳定的供应和广泛的应用基础，仍在许多传统工业和消费类电源设计中占据重要地位。

2SK2095广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，典型用途包括离线式AC-DC电源适配器、电视机与显示器的背光电源、LED恒流驱动模块、小型UPS不间断电源以及工业控制设备中的DC-DC转换电路。由于其500V的高耐压能力，特别适合用于通用输入电压范围（85V~265V AC）下的反激式开关电源主开关管角色。在此类应用中，2SK2095能够高效地完成能量传递与电压变换任务，同时维持较高的转换效率和较低的待机功耗。
　　在照明领域，尤其是大功率LED驱动电源中，2SK2095常被用作初级侧的功率开关，支持恒流输出控制方案，确保灯光亮度稳定且无闪烁。其快速开关特性有助于实现高频调光功能，满足智能照明系统的动态调节需求。此外，在空调、洗衣机、微波炉等白色家电中，该器件可用于内置辅助电源或电机控制电路中的功率切换环节，提供可靠的电力控制能力。
　　工业自动化设备中也常见2SK2095的身影，例如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电模块和小型伺服驱动器等。这些应用场景往往要求元器件具备长时间连续运行的能力和较强的抗干扰性能，而2SK2095的稳定电气参数和良好的热管理特性正好满足这些需求。另外，在电池充电器、电动工具电源模块以及通信基站的二次电源系统中，该MOSFET也可作为核心开关元件使用。
　　值得一提的是，虽然随着技术进步，更高性能的超级结MOSFET和SiC器件逐渐普及，但在成本敏感且对性能要求适中的应用中，2SK2095仍是一个经济实用的选择。尤其对于维修替换市场和老旧产品延续生产而言，其广泛的可获得性和兼容性使其继续保持一定的市场需求。

2SK2546, 2SK2641, 2SK2832, FQP50N50, STP7NK50ZFP