型号：2SK2094
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（最大值，典型测试条件）
　　阈值电压（Vgs(th)）：4V～6V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：370pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（典型值）
　　总栅极电荷（Qg）：45nC（典型值，Vds=400V）
　　开启延迟时间（td(on)）：25ns
　　上升时间（tr）：60ns
　　关断延迟时间（td(off)）：60ns
　　下降时间（tf）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK2094具备优异的开关性能和低导通损耗，是高性能电源系统中的理想选择。其核心优势之一在于低导通电阻（Rds(on)），在常温下最大仅为0.55Ω，这有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率，尤其适用于大电流工作的场合。此外，该MOSFET具有较高的漏源击穿电压（500V），使其能够安全地应用于高压环境中，如AC-DC整流后的主开关管位置，确保系统在异常电压波动时仍能维持可靠运行。
　　另一个显著特点是其较低的栅极电荷（Qg = 45nC），这意味着驱动电路所需提供的能量更少，不仅降低了驱动IC的负担，也减少了开关过程中的动态损耗，提升了高频工作时的能效表现。同时，较小的输入电容（Ciss = 1100pF）也有助于加快开关速度，使器件更适合用于高频开关电源设计，例如PWM控制器配合使用的功率级。
　　2SK2094还具备良好的热稳定性和长期可靠性。采用坚固的TO-220封装，具备优良的散热能力，允许在较高环境温度下持续运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）进一步增强了在极端环境下的适应性。此外，该器件经过优化设计，具备一定的抗雪崩能力，可在突发过压或电感反冲情况下提供一定程度的自我保护，提升整个系统的鲁棒性。
　　值得一提的是，2SK2094的阈值电压范围为4V～6V，属于标准逻辑兼容级别之上，因此通常需要使用专用的MOSFET驱动器来实现完全导通，尤其是在低电压控制信号（如3.3V单片机IO口）直接驱动时需谨慎设计。尽管如此，这种设计有助于防止误触发，增强噪声免疫能力。总体而言，2SK2094是一款成熟可靠的高压N沟道MOSFET，在性能、成本与可用性之间实现了良好平衡。

2SK2094广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，包括AC-DC和DC-DC转换器，作为主开关管或同步整流器件使用。在离线式反激变换器（Flyback Converter）或正激变换器（Forward Converter）中，2SK2094可承担高压侧开关任务，利用其500V的耐压能力和低导通电阻实现高效的能量转换。此外，该器件也常见于逆变电源、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等新能源相关设备中，负责直流到交流的能量切换控制。
　　在工业控制领域，2SK2094可用于电机驱动电路，特别是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动结构中，作为上桥臂或下桥臂开关元件，实现精确的启停与调速控制。其快速的开关响应时间和较低的开关损耗有助于提升控制精度并减少发热。
　　该器件同样适用于电子镇流器和LED驱动电源，特别是在高压LED照明系统中，用于恒流控制回路的功率调节部分。其稳定的电气特性保证了光源亮度的一致性与寿命。
　　除此之外，2SK2094还可用于各类电源适配器、充电器、电视电源板、办公自动化设备电源模块等消费类电子产品中。由于其封装标准化且供货稳定，便于PCB布局与自动化生产，因此受到广大电源工程师的青睐。

2SK2093, 2SK2542, 2SK2648, FBP5N50Z, K2571, IRFP450