类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：0.1A
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23（S）

2SK2072-01S MOSFET具有多项优良特性，适用于多种高频和低功耗应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下具有较小的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，使其适合在高频率开关环境中使用。
　　此外，该MOSFET的封装形式为SOT-23（S），属于小型表面贴装封装，便于在PCB上进行自动化组装，同时节省空间，适用于便携式电子设备和嵌入式系统。其良好的热稳定性和抗热阻性能也使得该器件在较高工作温度下仍能保持稳定运行。
　　另一个显著特点是其较高的栅源电压容限（±20V），这为驱动电路设计提供了更大的灵活性，减少了因驱动电压波动导致器件损坏的风险。同时，该器件具备良好的抗静电能力，提升了在实际使用中的可靠性和耐用性。

2SK2072-01S MOSFET广泛应用于多种电子设备中，尤其是在需要高效、高频开关操作的场合。例如，它常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、LED驱动电路以及电池管理系统中的低功率控制电路。此外，该器件也适用于便携式设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、无线耳机等，用于实现高效的能量管理和节能控制。
　　在工业控制领域，2SK2072-01S可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的信号切换、小型继电器驱动、传感器电源控制等场景。其小型封装和高频特性也使其成为射频（RF）前端模块中开关或调制元件的合适选择。由于其具备良好的稳定性和抗干扰能力，因此也适用于汽车电子系统中的低功耗控制电路，如车载导航、仪表盘电源管理等。

2SK302-Y、2SK302-M、2SK2071-01S