类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：30A（在TC=25℃时）
　　导通电阻（RDS(ON)）：≤7.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220SM（表面贴装型）

2SK2072-01L 具备一系列优异的电气特性和物理特性，适用于高效率功率转换应用。
　　首先，其低导通电阻（RDS(ON)）特性使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高整体系统效率，并减少散热需求。这对于高功率密度设计尤为重要。
　　其次，该MOSFET的漏源电压额定值为60V，能够承受较高电压的冲击，适用于中高压应用，如服务器电源、电信设备电源、电机驱动和电池管理系统等。栅源电压容限为±20V，增强了器件在不同驱动条件下的可靠性。
　　此外，该器件采用TO-220SM封装，支持表面贴装工艺，具有良好的热传导性能，适用于自动化生产和高密度PCB布局。这种封装也有助于提高器件在高温环境下的稳定性。
　　2SK2072-01L 还具备优异的雪崩耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提高了器件的可靠性和系统的鲁棒性。
　　最后，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提高整体系统的响应速度和效率。

2SK2072-01L 主要应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器等，用于提高电源转换效率并减小系统尺寸。
　　2. **负载开关**：在服务器、存储设备和工业控制系统中，作为高边或低边开关，控制电源分配与隔离。
　　3. **电池管理系统**：用于电池充放电控制电路，确保电池组的安全运行。
　　4. **电机驱动**：适用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路中的高频率开关控制。
　　5. **电信与网络设备**：用于高效率、高稳定性的电源模块，满足5G通信设备、路由器和交换机的功率需求。
　　6. **消费类电子产品**：如高性能笔记本电脑、平板电脑、游戏主机等，用于电源管理及功率调节模块。

2SK3084-01L, 2SK3082-01L, Si7461DP