2SK2072-01(LS)是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于高功率开关电路、电源管理以及电机控制等领域。该器件采用高密度单元设计,具有低导通电阻和高可靠性,适用于需要高效能和高稳定性的电源系统。该MOSFET封装为SIP(单列直插式封装),便于安装和散热。
类型:N沟道
最大漏极电压(Vds):900V
最大漏极电流(Id):10A
最大栅极电压(Vgs):±30V
导通电阻(Rds(on)):典型值0.85Ω(最大1.05Ω)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:SIP7
2SK2072-01(LS)具备低导通电阻特性,有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力(900V)使其适用于高电压应用场景,如开关电源和逆变器。此外,该器件具有良好的热稳定性和高耐用性,能够承受较大的工作电流和环境温度波动。
该MOSFET采用了东芝的先进功率MOSFET制造工艺,确保在高频率开关应用中的稳定运行,并具备较强的抗冲击能力。其SIP7封装设计提供了良好的散热性能,适用于空间受限的电路布局。
在栅极驱动方面,该器件支持宽范围的栅极电压输入(±30V),兼容多种驱动电路设计。其较低的输入电容和开关损耗也使其在高频应用中表现出色,适合用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和电机控制模块。
2SK2072-01(LS)主要用于各种高电压、中高功率的电子系统中,包括开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、电池充电器以及工业自动化控制系统。此外,该器件也适用于消费类电子产品和工业设备中的功率转换模块。
在开关电源中,该MOSFET用于主开关电路,负责能量的高效转换;在电机控制应用中,它可用于H桥电路实现电机的正反转控制;在LED驱动器中,作为高效率的功率开关,可有效提升整体能效。由于其高可靠性和良好的热管理能力,该器件也常用于需要长时间连续运行的工业设备中。
2SK2071-01(LS), 2SK2134, 2SK2545, IRF840, 2SK1318