类型：N沟道JFET
　　封装形式：SOT-23
　　漏源电压（VDS）：-50 V
　　栅源电压（VGS）：-30 V
　　最大功耗（Ptot）：150 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　跨导（Gm）：典型值 15 mS
　　截止频率（fT）：典型值 120 MHz
　　输入电容（Ciss）：典型值 4 pF
　　输出电容（Coss）：典型 1.5 pF
　　反向传输电容（Crss）：典型 0.6 pF
　　饱和漏极电流（IDSS）：典型 12 mA @ VDS = -10 V, VGS = 0 V
　　夹断电压（VP）：典型 -2.5 V

2SK2046具备卓越的低噪声性能，这使得它非常适合用于对信噪比有严格要求的应用场景，例如高保真音频前置放大器或精密传感器接口电路。其N沟道JFET结构提供了非常高的输入阻抗，通常可达10^9欧姆以上，有效减少了对前级信号源的负载效应，从而提高了系统的整体信号完整性。这种高输入阻抗特性也使其成为电压控制应用中的理想选择，比如在运算放大器的输入级或缓冲电路中使用时，可以显著提升电路的响应速度和动态范围。
　　该器件的跨导值较高，典型达到15毫西门子，这意味着即使在较小的栅极电压变化下也能产生较大的漏极电流变化，从而实现高效的电压-电流转换能力。这一特性对于需要高增益和良好线性度的模拟放大电路尤为重要。同时，2SK2046具有较宽的工作电压范围，从1.5V到-50V均可正常工作，适应性强，可在多种供电环境下保持稳定性能，尤其适合低压便携式设备如移动录音设备、耳机放大器等。
　　在高频性能方面，2SK2046表现出色，其截止频率fT可达120MHz，保证了在射频或高速模拟信号处理中的可用性。此外，器件的寄生电容（如输入电容Ciss、输出电容Coss和反馈电容Crss）均维持在较低水平，有助于减少高频下的信号失真和相位延迟，提高电路的整体带宽和稳定性。这些特点使其不仅适用于音频频段，也可拓展至部分RF小信号放大应用。
　　2SK2046采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，有利于缩小终端产品的尺寸。该封装还具备良好的热传导性能和机械强度，能够在恶劣环境中长期可靠运行。器件符合工业级温度规范，可在-55°C至+150°C的结温范围内工作，适用于各种严苛的应用条件。此外，该器件无铅且符合RoHS指令，满足现代电子产品对环保材料的要求。

2SK2046广泛应用于各类需要低噪声、高输入阻抗和优良线性特性的模拟电路中。最常见的用途是作为音频前置放大器的核心元件，尤其是在高端音响设备、录音话筒前置放大器、吉他放大器和效果器中，利用其低噪声和高保真特性来提升音质表现。由于其高输入阻抗特性，该器件也非常适合作为缓冲器使用，在信号链中隔离前后级电路，防止负载效应影响信号质量，常见于测量仪器、示波器探头和数据采集系统中。
　　在传感器接口电路中，2SK2046可用于放大微弱的传感器输出信号，例如来自压电传感器、光电二极管或生物电信号检测装置的信号，因其低噪声和高灵敏度能够有效提取有用信息。此外，该器件还可用于模拟乘法器、压控电阻、自动增益控制（AGC）电路以及某些类型的振荡器设计中，发挥其电压控制导通能力的优势。
　　在通信系统中，2SK2046可用于射频小信号放大阶段，特别是在VHF/UHF频段的接收前端，作为低噪声放大器（LNA）的一部分，帮助提高接收灵敏度。虽然其主要定位为音频和通用模拟应用，但由于其良好的高频特性，也可在特定宽带应用中替代部分双极型晶体管或CMOS器件。
　　另外，由于其低功耗和小型化封装，2SK2046也适用于便携式和电池供电设备，如无线麦克风、便携式音频记录仪、助听器模块和个人健康监测设备等。总之，凡是需要高质量模拟信号调理的地方，2SK2046都能提供可靠的性能支持。

2SK170, J201, BF862, 2N5457, U310