2SK2004-01S 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,主要用于高频率开关应用和电源管理系统。这款MOSFET设计用于高效能操作,并具备较低的导通电阻,适用于需要紧凑尺寸和高效率的现代电子设备。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):连续:3A(最大)
导通电阻(Rds(on)):约0.27Ω(在Vgs=10V时)
功率耗散(Pd):2W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23(SC-59)
2SK2004-01S MOSFET具有较低的导通电阻,这使其在开关操作中效率更高,减少了功率损耗。此外,该器件的栅极电荷较低,有助于提高开关速度,从而减少开关损耗。
这款MOSFET的封装设计非常紧凑,适合在空间受限的应用中使用。同时,它具备较高的热稳定性,可以在较高的温度环境下稳定工作。
由于其高频率响应能力,2SK2004-01S非常适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等高频开关应用。它的栅极驱动电压范围较宽,可在不同电源条件下保持良好的性能。
另外,2SK2004-01S具备良好的抗静电能力,能够在一定程度上抵御静电放电带来的损害,从而提高了器件的可靠性和使用寿命。
2SK2004-01S广泛应用于各类电源管理系统,包括电池供电设备、DC-DC转换器、LED驱动器和小型电机控制电路。此外,它也常用于通信设备、便携式电子产品和工业自动化控制系统中。
在电池管理系统中,该MOSFET可作为高侧或低侧开关使用,控制电池的充放电过程;在DC-DC转换器中,它用于实现高效的电压转换;而在LED驱动器中,它可以提供精确的电流控制以确保LED的稳定亮度。
由于其紧凑的封装和高效的性能,2SK2004-01S也常用于空间受限的便携式设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
2SK3018, 2SK2005-01S, 2N7002