型号：2SK2000-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-247
　　漏源电压（VDS）：900 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：3.5 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：12 A
　　功耗（PD）：150 W
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 3.2 Ω（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0 ~ 6.0 V
　　输入电容（Ciss）：800 pF（@ VDS = 25 V）
　　输出电容（Coss）：180 pF（@ VDS = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：未指定（体二极管）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

2SK2000-R具备多项优异的电气与物理特性，使其在高电压功率应用中表现出色。首先，其高达900V的漏源击穿电压（VDS）使其非常适合用于高压开关电源和逆变器系统，能够在极端电压条件下保持稳定工作而不发生击穿。这种高耐压能力得益于其内部结构设计和高质量硅材料的选择，确保了器件在瞬态浪涌或负载突变情况下的安全运行。
　　其次，该MOSFET具有相对较低的导通电阻（RDS(on) ≤ 3.2Ω），这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提升系统能效并减少发热。虽然与现代超结MOSFET相比其RDS(on)偏高，但在同等级高压器件中仍处于合理范围，尤其适用于中等电流、高电压的应用场景。
　　再者，2SK2000-R采用了TO-247封装，具有优良的散热性能，能够有效将内部产生的热量传导至外部散热器，确保长时间工作的热稳定性。该封装也便于安装于标准散热片上，增强了其实用性和可维护性。
　　此外，该器件具备良好的开关特性，输入电容（Ciss）为800pF，在高频开关应用中表现稳定，配合合适的驱动电路可实现快速开关动作，减少开关损耗。尽管其栅极电荷较大，限制了极高频率下的效率，但在数十kHz至百kHz范围内的开关电源中依然适用。
　　最后，2SK2000-R具备较强的抗雪崩能力和热稳定性，能够在短时过载或异常工况下维持一定耐受能力，提升了系统可靠性。综合来看，这些特性使2SK2000-R成为工业电源、音频放大器和高压控制系统中的理想选择之一。

2SK2000-R主要应用于需要高电压和中等电流处理能力的电力电子系统中。其最常见的用途之一是作为开关模式电源（SMPS）中的主开关器件，特别是在高压AC-DC转换器中，用于实现高效的能量转换。由于其900V的高击穿电压，它能够直接接入整流后的市电母线电压（如400V DC左右），无需额外的降压电路，简化了系统设计。
　　在逆变器系统中，例如太阳能逆变器或不间断电源（UPS），2SK2000-R可用于DC-AC转换阶段的功率开关，承担直流侧高压到交流输出的变换任务。其良好的热稳定性和可靠的开关性能确保了逆变过程的高效与稳定。
　　此外，该器件也被广泛用于高端音频功率放大器中，尤其是甲乙类（Class AB）或甲类（Class A）放大器的输出级。在这些应用中，2SK2000-R凭借其线性度好、失真低、耐压高的特点，能够提供清晰、强劲的声音输出，满足Hi-Fi音响系统对音质的高要求。
　　在工业控制领域，如电机驱动、电焊机、感应加热等设备中，2SK2000-R也可作为功率开关元件使用，执行启停控制或调速功能。其坚固的结构和宽温度工作范围（-55°C ~ +150°C）使其适应恶劣工业环境。
　　另外，在DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在高压输入场合（如电信电源、铁路系统供电），2SK2000-R同样可以胜任主开关角色。总之，该器件适用于各类高电压、中功率、对可靠性要求较高的应用场景，展现了广泛的兼容性和实用性。

2SK2001-R
　　2SK2002-R
　　K2000
　　2SK1058
　　2SK1563