类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-3A
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

2SK198P具有多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其P沟道结构使其在低电压控制下能够实现高效的功率切换，适用于以电池供电为主的便携式设备。漏源电压最大可达-60V，确保其在中高电压应用中稳定运行。栅源电压范围为±20V，具备一定的过压耐受能力，提升了器件的可靠性。
　　该器件的连续漏极电流为-3A，在适当的散热条件下可实现较大的功率输出，适用于负载开关和小型电机控制。此外，其功耗为40W，配合TO-220封装的优良散热性能，可在较恶劣环境下稳定工作。
　　2SK198P还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统整体效率。同时，其热稳定性良好，能够在高温环境下保持稳定性能，避免因过热导致的失效问题。这些特性使其成为工业控制、消费电子和电源管理系统中的理想选择。

2SK198P主要应用于中低功率的电源开关、负载控制和DC-DC转换器等场景。在电源管理系统中，它可以作为高侧开关用于控制电源输出，实现对负载的精确管理。在电池供电设备中，如笔记本电脑、便携式充电器和智能设备中，该MOSFET可用于高效能电源切换，延长电池使用寿命。
　　此外，2SK198P还可用于小型电机驱动和继电器替代方案，提供更高效、更可靠的控制方式。由于其具备良好的开关特性和较高的可靠性，也常用于自动化控制系统、工业仪器仪表以及汽车电子设备中。其TO-220封装形式便于安装和散热设计，适合多种应用场景。

2SK2130, IRF9Z24N, FQP13P06