时间：2025/8/9 12:38:29
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2SK1985-01MR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高频开关应用。这款MOSFET封装为SOP（小外形封装），适合表面贴装技术，具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。2SK1985-01MR通常用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：5A
最大功率耗散(Pd)：1.25W
导通电阻(Rds(on))：约25mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
2SK1985-01MR MOSFET具备多个关键特性，使其在各种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在高电流负载下，该特性尤为关键，有助于减少发热并提升整体性能。
其次，该器件支持高达±20V的栅源电压（Vgs），提供了更强的栅极驱动稳定性，减少了误触发的风险。这对于需要高可靠性的电源转换系统而言尤为重要。
此外，该MOSFET采用了SOP-8封装，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和PCB布局。同时，其较小的封装尺寸也有助于节省PCB空间，适用于紧凑型电子产品设计。
该器件的最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流为5A，能够胜任中等功率的开关应用，例如负载开关、DC-DC转换器、LED驱动电路以及马达控制等。在这些应用场景中，2SK1985-01MR可以提供稳定、高效的性能。
从热性能角度来看，其最大功率耗散为1.25W，在正常工作条件下具备良好的散热能力。结合低Rds(on)特性，该器件在运行过程中能有效降低温升，从而提升整体系统的稳定性和可靠性。
2SK1985-01MR的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的温度适应性，能够在各种环境条件下稳定运行。
2SK1985-01MR广泛应用于多个电子系统中，尤其适合高频开关和电源管理领域。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可以作为主开关元件，提供高效能的电压转换能力。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少能量损耗。
在电源管理系统中，如负载开关、电池管理系统和稳压电源，该MOSFET可以用于控制电流流动，确保系统的稳定运行。此外，该器件也适用于LED驱动电路，能够提供稳定的电流控制，确保LED光源的亮度一致性。
2SK1985-01MR还可用于小型电机控制，如风扇、泵和自动门控制等应用。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在电机驱动电路中表现优异。
在工业自动化设备和消费类电子产品中，该MOSFET也常用于各种开关和功率控制应用。例如，在智能家居设备、便携式充电器和电源适配器中，该器件能够提供高效的功率转换和稳定的性能。
Si2302DS、FDN340P、2SK3019、2SK2545
