时间：2025/8/9 6:50:00
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2SK1984是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关应用和电源管理系统。这款MOSFET的设计使其能够承受高电压和高电流，同时保持较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于诸如DC-DC转换器、电源适配器以及电机控制电路等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压：600V
最大漏极电流：5A
导通电阻：0.65Ω
最大功耗：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
2SK1984具有较高的电压和电流耐受能力，使其能够在严苛的电气环境中稳定工作。其低导通电阻特性可以显著减少功率损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件的快速开关性能降低了开关损耗，适合高频开关应用。
该MOSFET采用TO-220封装形式，这种封装提供了良好的散热性能，同时便于安装和集成到电路板上。器件的可靠性高，适合在长时间运行的电源系统中使用。
为了确保在高电压和高电流条件下的稳定运行，2SK1984在设计上考虑了热管理和电磁干扰（EMI）的优化。这使得它在复杂的电力电子系统中表现出色，例如开关电源（SMPS）、逆变器以及工业自动化设备中的电机驱动模块。
2SK1984广泛应用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流（DC-DC）转换器、电机控制电路、电池充电器以及照明系统。其高电压和高电流特性使其成为工业控制和消费电子产品中不可或缺的组件。此外，该MOSFET也常用于音频功率放大器中的电源部分，以提供稳定高效的电力供应。
2SK2142, 2SK2545
