时间：2025/8/9 8:22:43
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2SK1983-01是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效率和高速开关的电源转换应用。该MOSFET设计用于在较高的频率下工作，适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用场景。2SK1983-01采用小型封装，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，以提高整体系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：20V
最大连续漏极电流(Id)：15A
最大耗散功率(Pd)：30W
导通电阻(Rds(on))：0.042Ω @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：24nC
输入电容(Ciss)：1050pF
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-252
2SK1983-01 MOSFET具有多项显著特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率，这对于高能效设计尤为重要。其次，该器件具有快速开关能力，栅极电荷（Qg）相对较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电路。此外，其15A的连续漏极电流能力使其适用于较高功率的负载控制，如DC-DC转换器和电机驱动电路。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，采用TO-252封装，具有较好的散热性能，适用于紧凑型设计。此外，2SK1983-01的最大漏源电压为30V，适用于低压功率应用，如便携式设备、工业控制和汽车电子系统。栅源电压可达20V，使其在使用标准12V或15V驱动电路时具备良好的可靠性。同时，该器件的输入电容较低，有助于减少驱动电路的负担，提高响应速度，从而优化整体系统性能。
2SK1983-01 MOSFET广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池供电设备。在同步整流应用中，该MOSFET能够替代传统的肖特基二极管，提高转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，该器件可用于降压（Buck）或升压（Boost）拓扑结构，提供高效的能量转换。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、通信电源和消费类电子产品中的高效率功率控制电路。
2SK2182-01, 2SK2184-01, Si4410DY, IRFZ44N
