2SK1981 时间：2025/8/9 7:32:43 阅读：15

2SK1981是一种N沟道功率MOSFET，常用于需要高电流和高电压处理能力的开关和功率放大应用中。这款MOSFET由东芝公司制造，设计用于高效率的功率转换和控制电路。其封装形式通常是TO-220或类似的功率封装，以支持高散热需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：5A
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值约为0.65Ω
　　栅极电荷(Qg)：约12nC
　　输入电容(Ciss)：约750pF
　　输出电容(Coss)：约250pF

特性

2SK1981具有低导通电阻，使其在导通状态下具有较低的功率损耗，提高整体效率。其高耐压能力（500V）适用于多种高压电源应用。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。栅极驱动特性较为友好，易于驱动电路设计。此外，2SK1981的封装设计支持良好的散热性能，以应对高功率操作中的热量积累。该器件还具有快速开关特性，适合高频应用中的快速切换需求。
　　在设计中，2SK1981可以提供较高的可靠性和稳定性，适用于各种开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和功率放大器电路。其性能参数使得它在许多工业和消费类电子产品中得到了广泛应用。

应用

2SK1981主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制器、照明镇流器以及功率放大器等电路中。由于其高耐压和高电流能力，该器件特别适用于需要高效能功率管理的场合。例如，在电源适配器中，2SK1981可以作为主开关器件，提供稳定的电压转换；在电机控制电路中，它可以实现精确的转速调节；在LED照明系统中，该MOSFET可用于恒流驱动电路的设计。